三极管工作在放大区、饱和区、截止区的外部条件是什么？ 截止状2113态当加在三极管发射结的电压小于5261PN结的导通电压，基极电4102流为零，集电极电流和1653发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。放大状态当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。饱和导通当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。扩展资料：放大电路：一、基本结构基本放大电路是放大电路中最基本的结构，是构成复杂放大电路的基本单元。它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。本章基本放大电路的知识是进一步学习电子。
请写出晶体管分别工作在放大区，截止区和饱和区时，发射结和集电结的偏置情况. 晶体管工作在放大区时，发射结正偏置、集电结反偏置；晶体管工作在截止区时，发射结反偏置、零电压或者偏置电压不足以使发射结导通、集电结反偏置；晶体管工作在饱和区时，发射结正偏置、集电结正偏置.
晶体管工作在放大区的条件是（）。A．发射结正向偏置，集电结反向偏置 B．发射结反向偏 参考答案：A
为使三极管工作在放大区，正确的偏执条件是 选A 三极管工作在放大区时发射结正偏、集电结反偏 三极管工作在截止区时发射结反偏、集电结反偏 三极管工作在饱和区时发射结正偏、集电结正偏
晶体管工作在放大区的条件是（）。A．发射结正向偏置，集电结反向偏置 B．发射结反向偏
晶体管工作在放大状态的外部条件是_____ 三极管工作放大状态的条件2113是：发射结正偏，集5261电结反偏。4102放大原理1、发射1653区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
请写出晶体管分别工作在放大区，截止区和饱和区时，发射结和集电结的偏置情况. 发射结的2113导通正方向为从基区到发射区，集电结5261的导通正方4102向为从基区到集电区，两1653个PN的正向导通的方向相反。放大状态条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。晶体管工作在饱和区时，发射结正偏置、集电结正偏置。在晶体管中，除了自由电子在扩散过程中形成的电流外，还存在集电区和基区中的少数载流子相互漂移运动形成的饱和电流。集电区中的少数载流子是空穴，会在电场的作用下向基区扩散。基区中的少数载流子自由电子也会在电场的作用下向集电区做漂移运动。由此形成一个反向饱和电流，这个电流受温度影响比较大，会影响晶体管的稳定工作。扩展资料：注意事项：1、一定要关注负载容量。输出端口须遵守允许最大电流限制（如表1所示），以保证输出端口的发热限制在允许范围。继电器的使用寿命与负载容量有关，当负载容量增加时，触点寿命将大大降低，因此要特别关注。2、一定要关注负载性质。根据第4节的分析，感性负载在开合瞬间会产生瞬间高压，因此表面上看负载容量可能并不大，但是实际上负载容量很大，继电器的寿命将大大缩短，因此当驱动感性负载时应在负载两端接入吸收保护电路。3、根据电容的特性，如果直接驱动电容负载，在导通瞬间将产生。
