宽禁带半导体材料的电子结构与性质研究 氮化镓是什么东西, 目前技术成熟吗?

南京大学微电子设计研究所的学科方向 学术带头人（姓名：张荣，教授人数：6，副教授人数：3，有博士学位人数：6）。目前本方向人员所做工作的主要内容、特色和可能取得的突破：光电子技术是当前信息技术的重要发展方向，将带来信息领域一场新的技术革命。半导体光电子学是光电子技术与微电子技术互相渗透、交叉而形成的前沿方向。主要内容：1．宽禁带半导体光电子学宽禁带半导体是研制短波长光电子器件，特别是目前应用上急需的短波长发光器件的优选材料，宽禁带半导体光电子学是当前世界各国竞相发展的战略制高点和学科生长点。着重研究宽禁带半导体光电子材料（GaN基、ZnO基）技术，特别是多量子阱材料制备技术、掺杂技术、能带工程技术和极化控制技术，及大尺寸低位错密度自支撑GaN衬底技术；研究开发ZnO基激光器材料与器件技术，研制低阈值电流密度ZnO基蓝光激光器；研究开发Ⅲ族氮化物激光器材料与器件技术，研制长寿命Ⅲ族氮化物蓝紫光激光器。2．硅基纳米光电子集成技术以发展硅基纳米光电子集成技术为目标，系统开展其关键材料(硅基发光材料)、关键器件结构单元(硅基纳米结构)和关键工艺技术(特别是自组装技术)等研究，提出功能集成新概念、新原理和新技术；设计具有量子尺寸效应的的纳米功能。研究半导体的禁带宽度的有什么意义 禁带宽度(Band gap)是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。简而言之，禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。如何分析能带结构图、态密度图，及相关的性质的基础分析？ 本人物理学本科在校生一枚，在实验室跟着老师做建模，在没有任何基础的情况下，老师只是只说让看文献看文…薛其坤的研究方向 主要研究方向为扫描隧道显微学、表面物理、自旋电子学、拓扑绝缘量子态和低维超导电性等。研究工作主要涉及利用扫描隧道显微镜、高/低能电子衍射、光学探针以及各种表面分析手段研究各种金属、半导体表面晶体结构/化学性质、异/同质结薄膜外延和低维纳米结构的生长动力学和控制。在微电子工业上具有广泛用途的化合物半导体GaAs和GaN生长表面的两维晶体结构、光学性质以及相关异质结外延中应力释放问题、InAs/GaAs量子点的形成机理和稳定性、纳米团簇的生长、C60/C84/C70在半导体上的薄膜生长等研究中做过比较系统的工作。主要研究兴趣包括稀磁半导体的分子束外延生长和自旋注入、低维纳米结构的磁性和在自旋电子学中的应用、量子效应对低维纳米结构电子性质的影响（比如催化）等。长期从事超薄膜材料的制备、表征及其物理性能研究。开展了第二代半导体薄膜GaAs、InAs/GaAs量子阱（点）、宽禁带半导体GaN和ZnO 薄膜生长动力学研究，发展完善了III-V族化合物半导体表面再构的基本规律；开展了半导体Si衬底上金属超薄膜量子尺寸效应的研究，定量建立了金属薄膜体系量子效应和材料性能间内在联系，发现了薄膜热膨胀系数、功函数、超导转变温度等的量子振荡现象；开展了。为什么同族的半导体，原子序数越小禁带宽度越大？ 5.1.4 Wavelength Engineering ？www.tf.uni-kiel.de 3.讨论 a.你说得这个规律对于常见的化合物半导体（II-VI族，III-V族等）来说粗略地存在，是因为有元素周期律的存在。。半导体有哪些性质 为主体制成的固态电子器件。非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序，但是仍具有单晶体的微观结构，因此具有许多特殊的性质。1975年，英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法。氮化镓是什么东西， 目前技术成熟吗？ GaN，氮化镓 这是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。GaN材料的缺点和问题 一方面，在理论上由于其能带结构的关系，其中载流子的有效质量较大，输运性质较差，则低电场迁移率低，高频性能差。另一方面，现在用异质外延（以蓝宝石和SiC作为衬底）技术生长出的GaN单晶，还不太令人满意（这有碍于GaN器件的发展），例如位错密度达到了108~1010/cm2（虽然蓝宝石和SiC与GaN的晶体结构相似，但仍然有比较大的晶格失配和热失配）；未掺杂GaN的室温背景载流子（电子）浓度高达1017cm-3（可能与N空位、替位式Si、替位式O等有关e69da5e887aa7a686964616。

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