ZKX's LAB

为什么有的锂电保护板需要激活? 场效晶体管的控制方法

2021-03-09知识7

为什么有的锂电保护板需要激活? 锂电池保护板使用的场效应晶体管作为保护元件的。为保证电池在异常时不会被重新接入电路而对电路进行特殊的设计。其方法是保护电路的控制部分电源供应是在保护用场效管后面。

场效应管的命名和标示方法 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。两种命名方法:第一种。

谁能帮我解释一下FinF FinFET称为鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思,FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。。

三串锂电保护板接线。 B-接第一2113个电池的负极,3.6V接第一个电池的5261正极和第二个电池的负极,41027.2V接第1653二个电池的正极和第三个电池的负极,10.8V接第三个电池的正极;P+为输出正极,P-为输出负极。锂电池是一种以锂金属或锂合金为负极材料,使用非水电解质溶液的一次电池,与可充电电池锂离子电池跟锂离子聚合物电池是不一样的。锂电池的发明者是爱迪生。

为什么有的锂电保护板需要激活? 场效晶体管的控制方法

锂电池保护板。 很多。1。从充放2113电保护性能分:单5261保二种:充电保护和放电保护,4102双保护一种;2。从电芯数和1653电池组不同分:a。一串n并:如二个电芯并联,三个并,到n个,现实中很少多于五个并联的;b。多个串联:如工作电压7。2v的二串-用于带显示dvd,如多串多并-用于手提电脑(三串二并六个电芯)3。从保护板的板分:硬板(常用),软板,单层板,多层板,双面板,要是组合起来就更多,4。从工作要加不同原器件:不同控制ic芯片,不同的电流,不同温度,不同的工作电压(最高,和最低),-单单这个分类的组合后就几百种板了,5。板上正负极五金片位置和多少,如果1,2,3,4,5组合起来,就上千或几千或更多了,看看手机,一个品牌,就有不同型号电池:就用不同的板,多的几十种,不同品牌,不同的产品,性能要求都不一样,

什么是mos技术 以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。简称MOSIC。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到62616964757a686964616fe78988e69d83313332336566311968年解决了MOS器件的稳定性,MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比,MOSIC具有以下优点:①制造结构简单,隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件,设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高,宜用作数字集成电路;双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。按晶体管的沟道导电类型,可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS晶体管结合成一个电路单元的互补MOSIC,分别称为PMOS、NMOS和CMOS集成电路。随着工艺技术的发展,CMOS集成电路已成为集成电路的主流,工艺也日趋完善和复杂,由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。80年代又出现了集双极型电路和互补金 属-氧化物-半导体(CMOS)电路优点的BiCMOS集成电路结构。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、硅化物栅和难熔金属(如钼、钨)栅等MOSIC,栅极尺寸已由微米进入亚微米(0.5~1微米)和强亚微米(0.5微米以下)量级。。

什么是单极型晶体管和双极型晶体管? 一、单极型晶体管在目前使2113用的pnp或npn面结5261型晶体管的工作中4102,包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应1653晶体管,只需要一种载流子,这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管,因为场效应晶体管在工作时,半导体中只有多数载流子起主要作用,所以又称为单极晶体管。二、双极型晶体管晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor,BJT)又称晶体三极管,简称三极管,是一种固体半导体器件,可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关.基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可用作电流的开关。和一般机械开关(如Relay、switch)不同的是:晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度非常快,在实验室中的切换速度可达100吉赫兹以上。扩展资料双极型晶体管与MOSFET的比较:1、驱动功率不同场效应管是压控器件,其栅源极输入阻抗极高,只需要在栅源极间建立电场,即可控制漏源极电流。栅极驱动电压仅在输入端栅源极电容之间建立充电电流,而不直接驱动IDS。因此,其输入阻抗与电子管相近,这就使得MOSFET器件驱动电路大大简化,用CMOS器件、TTL 器件等均可以组成栅极驱动电路,使整机功耗。

#场效晶体管的控制方法

随机阅读

qrcode
访问手机版