一般IGBT反向击穿电压为多少伏 1200V
IGBT管有放大功能吗？ IGBT是绝缘栅2113双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的英文缩写，5261IGBT根据封装不同可以分为4102IGBT模块和IGBT单管，IGBT单管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘1653栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块可以看做是IGBT单管的功能改进和升级，它们的运用领域基本一样，但是IGBT模块由于集成了各种驱动保护电路，安装是使用上大大的方便了用户，采用新的封装技术后，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的运用领域！IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为。
什么是IGBT的退饱和（desaturation）？什么情况下IGBT会进入退饱和状态？
