正型光刻胶和负型光刻胶的区别 UV光刻胶分正性胶和负性胶，那他们有什么区别呢？目前最常用的两种正性光刻胶为PMMA和DQN，其中PMMA为单成分胶；DQN为二成分胶，DQ为感光化合物，N为基体材料。。
什么叫正胶显影和负胶显影？掩膜版的正板和负板有什么区别？正胶显影和负胶显影显影结果有什么区别？以及应用和操作上各有什么优缺点？正胶显影：正性光刻胶 的曝光区的。
请问在光刻中喷涂显影的具体操作步骤是怎样的？ 直接用google搜英文资料，关键词是“spray developing。喷射显影的方式有几种，binary spray，fan spray等等，你也可以找一本光刻工艺书了解，也可以加到搜索关键词中。原理是通过二元喷嘴用压缩空气或氮气将显影液在喷嘴出口击碎，以一定压力喷射在硅片表面，将处于沟槽结构内失效显影液及时置换出来，保持该处显影液的反应速度。当然，也可以是普通压力喷嘴，喷嘴产生的雾形也可以是多种多样的。喷涂显影的说法是不对的，涂是涂覆的意思，对应英文是coating。
清洗过光刻胶的正胶显影液可以给印刷厂来使用吗 就算你送给印刷厂也用不着呀，现在印刷厂已经是数码时代了，这些老工艺已经淘汰了。
什么是光刻胶以及光刻胶的种类 光刻胶2113是一种有机化合物，它5261受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化4102。一般光1653刻胶以液态涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固态。1、光刻胶的作用：a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中；b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。2、光刻胶的物理特性参数：a、分辨率（resolution）。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。b、对比度（Contrast）。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。c、敏感度（Sensitivity）。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。d、粘滞性/黏度（Viscosity）。衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的。
