ir2110自举电容对全桥驱动有什么影响 未解决问题 等待您来回答 奇虎360旗下最大互动问答社区
ir2110自举电容对全桥驱动有什么影响 自举电容内的储能是上臂驱动电压的来源，没有它就不能获得超过Vcc的驱动电压。
您能给我讲讲ir2110的自举电容是怎么选择的吗？ 看过您在百度里给的链接，现在已经不能用了，谢谢 自举电容的设计IGBT和PM(POWER MOSFET)具有相似的门极特性，它们在开通时都需要在极短的时间内向门极提供足够的栅电荷。假定在器件开通后，自举电容两端的电压比器件充分导。
IR2110自举电容的选择 自举电容的选择与工作频率、驱动的MOSFET参数、工作电压等因素有关。有关自举电容的设计可参考：http：//download.dianyuan.com/dianyuan.com/bbs/68/2780931217926434.pdf
IR2110的自举电路是什么作用，不自举可以吗，直接将Vs接地 不行。因为上桥臂的MOS管要饱和导通，必须要在门极与源极间加一个适当的电压。一般约10V左右，才能使MOS管导通时的内阻达到其额定值。此电压高一点其内阻会小一点，但太高则会损坏MOS管。当上桥臂MOS管导通时，其内阻Rds很小，甚至只有1～2mΩ，此时源极的电压基本上等于电源电压，那可能远高于控制驱动回路电压的。造成门极电压不可能高于源极要求的电压，上桥臂MOS管也就不可以很好的导通了。解决的办法是，将上桥臂的驱动电路悬浮起来，Vs接上桥臂MOS管的S极，作为驱动电压的参考点。将自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压（等于控制回路电压减去一个隔离二极管的正向压降约0.6V的电压）来提供对上桥臂的驱动，使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。不用自举电路是不行的。在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的，下桥臂MOS管的漏极D（即上桥臂MOS管的源极S）的电压，可能远高于控制回路的电压，若将Vs接地，不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求，甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110.
关于IR2104自举电容的作用，小白求教
