与回复过程相比再结晶对电阻影响更大吗 首先告诉你 电阻大小跟 点缺陷有关 点缺陷越大 点阵畸变越大 电阻率越高 塑性变形后点线面的缺陷都很高 低温回复时 使得点缺陷变少 电阻降低 中温回复 是异号位错抵消 塑性增加 高温回复 多边化 而再结晶是以等轴晶粒代替变形晶粒的过程 使得电阻变得更低 所以再结晶影响也很大
在有限温度下处于平衡态的晶体中为什么一定存在点缺陷 点缺陷一方面导致点阵畸变知，产生的畸变能使体系自由能升高，热力学稳定性下降。另一方面，点缺陷使原子排列混乱度增大，道体系熵增加，热力学稳定性上升。两方面是一对矛盾体，相互博弈，达到平衡。所以晶体在专一定温度下有热力学平衡浓度。即晶体中必然存在点缺陷属和空位。这也是点缺陷区别于其他缺陷的重要特点。
晶体的点缺陷，线缺陷和面缺陷对金属物理性能和化学性能有何影响？
直拉法生长的硅单晶，存在多种缺陷，各种缺陷的产生机理、影响及控制手段分别是那些？ 我只能描述以下缺陷：实际晶体的空间点阵和理想的空间点阵不同，它不完全有规则周期排列，而是点阵在排列上有这样或那样不规则性，存在着点阵畸变，偏离空间点阵。那些偏离点阵的结构或地区通称晶体缺陷。根据缺陷相对晶体尺寸或影响范围大小，可分为以下几类。1、点缺陷点缺陷特征是三个方向的尺寸很小，只有几个原子间距，如各种溶质原e799bee5baa6e58685e5aeb931333264643166子引起的周围畸变区；空位，间隙原子以及这几类点担风险的复合体。固溶体中大小(a)和(b)溶质原子引起的点阵畸变示意图(c)图表示原子跑到阵间隙中，这样产生的空位称为弗兰克（Фpehkelb）空位，(d)图表示原子跑掉晶体表面去，这样产生的空位称肖脱基（Schottky）空位。2、线缺陷线缺陷特征是缺陷在两个方向上尺寸很小（与点缺陷相似），第三个方向上的尺寸很大，可以贯穿整个晶体，属这一类缺陷主要是位错。位错有三种基本类型：刃型位错、螺型位错、混合位错。3、面缺陷面缺陷的特征是一个方向上尺寸很小（相同点缺陷），在其它两个方向上的尺寸很大，晶体的外表面及各种内界面—一般晶界、孪晶界、亚晶界、相晶界以及层错等属于这一类。4、体缺陷体缺陷是三堆缺陷，在三个方向上。
