二次电子包括俄歇电子和光电子吗？他们三者都有啥区别呀？ 二次电子通常是与背散射电子（又称一次电子）相对应，分别用于SEM中的形貌衬度像（SE）和原子序数衬度像…
背散射电子能获得与二次电子同级别分辨率的图像吗？
二次电子像的衬度和背散射电子像的衬度有何特点 仅供参考背散射电子像zd的衬度要比二次电子像的衬度大，二次电子一般用于形貌分析，背散射电子一般用于区别不同的相。二次电子像：1）凸出的尖棱，小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多，在荧光屏上这部分的亮度较大。2）平面上的二次电子产额较小，亮度较低。3）在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子，使其不易被控制到，因此相应衬度专也较暗。背散射电子像：1）用背散射电子进行形貌分析时，其分辨率远比二次电子像低。2）背散射电子能量高，以直线轨迹逸出样品表面，对于背向检测器的样品表面，因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影，因此，其图象衬度很强，衬度太大会失去细节的层次，不利于分析。因此，背散射电子形貌分析效果远不属及二次电子，故一般不用背散射电子信号。
背散射电子的概述 背散射电子（back scattered electron）当电子束照射样品时，入射电子在样品内遭到衍射时，会改变方向，甚至损失一部分能量（在非弹性散射的情况下）。在这种弹性和非弹性散射的过程中，有些入射电子累积散射角超过90度，并将重新从样品表面逸出。那么背散射电子就是由样品反射出来的初次电子，其主要特点是：能量很高，有相当部分接近入射电子能量 E 0，在试样中产生的范围大，像的分辨率低。背散射电子发射系数 η=I B/I 0 随原子序数增大而增大。作用体积随入射束能量增加而增大，但发射系数变化不大。
