场效应管是怎样利用电场来控制的？
绝缘栅型场效应管原理 绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。工作原理：图2中衬底为P型半导体，在它的上面是一层SiO2薄膜、在SiO2薄膜上盖一层金属铝，如果在金属铝层和半导体之间加电压UGS，则金属铝与半导体之间产生一个垂直于半导体表面的电场，在这一电场作用下，P型硅表面的多数载流子-空穴受到排斥，使硅片表面产生一层缺乏载流子的薄层。同时在电场作用下，P型半导体中的少数载流子-电子被吸引到半导体的表面，并被空穴所俘获而形成负离子，组成不可移动的空间电荷层（称耗尽层又叫受主离子层）。UGS愈大，电场排斥硅表面层中的空穴愈多，则耗尽层愈宽，且UGS愈大，电场愈强；当UGS 增大到某一栅源电压值VT（叫临界电压或开启电压）时，则电场在排斥半导体表面层的多数载流子-空穴形成耗尽层之后，就会吸引少数载流子-电子，继而在表面层内形成电子的积累，从而使原来为空穴占多数的P型半导体表面形成了N型薄层。由于与P型衬底的。
绝缘栅场效应管的主要参数 Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。BVDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM—最大耗散功率。是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。
绝缘栅(MOSFET)型场管能代替结型(JFET)型场管吗？为什么？ 不能互换，jfet型长效杨管需要的驱动电流脚mosfet和igbt要大，另外它们的驱动打压和驱动方式也不太一样 不可以。因为结型场管是耗尽型的，而绝缘栅型场管有耗尽型和增强型。
耗尽型绝缘栅场效应管的栅源电压可正可负是对的吗？ 首先，文字要严谨（严谨是理工科专业人士必须具备的素质），这会使你的专业发展之路更顺畅：①场效应管有N沟和P沟两种类型，作为控制的栅源电压Vgs分别取两种极性，当然可正可负。②即便是N沟增强型MOSFET，其开启电压V(T)是一个大于零的正值，但Vgs（在一定的限值内，否则可能栅极绝缘层击穿）也是可以的，只是管子处于截止状态（Vgs(T)）而已，所以可正可负。P沟管的对应电压极性与N沟管相反。对于耗尽型绝缘栅场效应管，其栅源电压Vgs为零时，管子的漏源之间存在导电沟道。以N沟管为例，若Vgs＞0，则沟道会增宽，导通电阻减小，导电能力增强；若Vgs，则沟道会缩窄宽，导通电阻增大，导电能力减小，直至Vgs≤V(P)（夹断电压）管子关断。所以可正可负。
绝缘栅型场效应管原理 绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。。
什么叫mos场效应管 1.概念：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点：具有输入电阻高。
电力场效应管MOSFET和绝缘栅极管在什么条件下工作 电力MOSFET的工作原理（N沟道增强型VDMOS）截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。。
N沟道绝缘栅增强型场效应管与N沟道耗尽型场效应管有什么不同？ 场效应管按结构可分为结型场效应管（缩写为JFET）和绝缘栅场效应管（缩写为JGFET），从导电方式看，场效应管分为N型沟道型与P型沟道型。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型。
各种场效应管各有什么不同的特点，起什么作用？ 一、场效应管的2113结构原理及特性场效应5261管有结型和绝缘栅两种结构4102，每种结构又有N沟道和1653P沟道两种导电沟道。1、结型场效应管（JFET）（1）结构原理 N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来，称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管。由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。2、绝缘栅场效应管它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。（1）结构原理它的结构，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧。
