matlab中igbt参数设置 呵呵，老兄是不是原来用过pspice，那里面会有具体器件的模型，matlab里的模型比较原理话，如果要做精确模型，需要自己按照技术参数搭-巨大的工程！呵呵pspice/matlab不可兼。
请教IGBT 死区问题 IGBT死区是指从输出关断信号到IGBT真正截止的时间。由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。一般在设计电路时已尽量降低该影响，比如。
求电磁炉的工作原理与维修及IGBT管型号和主要参数？？ 第一单元电磁加热原理电磁炉是一种*电磁场加热食物的灶具。我们知道：家用电器中的变压器工作时，铁芯会发热，如图1所示。为防止发热过多，浪费电能，铁芯用导磁率高的硅钢。
求IGBT元件的命名规格介绍，以及现有的型号？谢谢 比如H20R1203，英飞凌的IGBT 20是20A，12是1200V，03是编号 还有H15R1203，H25R1203，H30R1203 除了英飞凌做IGBT的还有仙童。命名都差不多。
IGBT的特性参数 IGBT的特性其实和三极管差不多 只不过场管是电压驱动元件它也有三种状态 截至 导通 饱和当然导通某个场管得具体看这个场管的系数 当外部电压达到导通电压时元件导通 有电流经过场管 当电压降低到某一导通阀值内也就截至了
IGBT的RCD缓冲电路各元件参数选择？
GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子元件，试给出各元件的主要特点？
IGBT是什么元件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
