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电位移线穿过导体

2020-07-16知识3
麦克斯韦电磁场理论的主要内容是什么 麦克斯韦电磁场理论的核心思想是:变化的磁场可以激发涡旋电场,变化的电场可以激发涡旋磁场;电场和磁场不是彼此孤立的,它们相互联系、相互激发组成一个统一的电磁场.麦克斯韦进一步将电场和磁场的所有规律综合起来,建立了完整的电磁场理论体系.这个电磁场理论体系的核心就是麦克斯韦方程组. 麦克斯韦方程组是由四个微分方程构成,:(1)描述了电场的性质.在一般情况下,电场可以是库仑电场也可以是变化磁场激发的感应电场,而感应电场是涡旋场,它的电位移线是闭合的,对封闭曲面的通量无贡献. (2)描述了磁场的性质.磁场可以由传导电流激发,也可以由变化电场的位移电流所激发,它们的磁场都是涡旋场,磁感应线都是闭合线,对封闭曲面的通量无贡献. (3)描述了变化的磁场激发电场的规律. (4)描述了变化的电场激发磁场的规律. 麦克斯韦方程都是用微积分表述的,具体推导的话要用到微积分,高中没学很难理解,我给你把涉及到的方程写出来,并做个解释,你要是还不明白的话也不用着急,等上了大学学了微积分就都能看懂了: 1.安培环路定理,就是磁场强度沿任意回路的环量等于环路所包围电流的代数和. 2.法拉第电磁感应定律,即电磁场互相转化,电场强度的弦度等于磁感应强度对时间的负偏导.... 关于电位移矢量 电位移定义为D=εE+P,其中DEP都是矢量。原始的积分形式是∫(εE+P).dS=Σq,∫在这里表示对封闭曲面求积分,积分号上面本来还有个圈我打不出来。所以有∫D.dS=Σq 而且这个式子说明:通过任意封闭曲面的电位移通量等于该封闭曲面包围的自由电荷的代数和。而不是你说的电位移等于该封闭曲面包围的自由电荷的代数和。电位移是矢量,怎么可能等于标量的电荷呢? 什么是电位移矢量,理想介质分界面两侧电位移矢量D满足什么式 你好电磁场的边界条件 boundary conditions for electromagnetic field 电磁场在两种不同媒质分界面上,从一侧过渡到另一侧时,场矢量E、D、B、H一般都有一个跃变。电磁场的边界条件就是指场矢量的这种跃变所遵从的条件,也就是两侧切向分量之间以及法向分量之间的关系。在某些电动力学或电磁场理论的书中,为了与另一种边界条件(在区域的表面上给定的有关场矢量的边值)相区别,将本条所解释的电磁场边界条件称为电磁场的边值关系。电磁场的边界条件可以由麦克斯韦方程组的积分形式推出,它实际上是积分形式的极限结果。这些边界条件是 n·(D1-D2)=ρs;(1) n×(E1-E2)=0;(2) n·(B1-B2)=0;(3) n×(H1-H2)=J)s。(4) 式中n为两媒质分界面法线方向的单位矢量,场矢量E、D、B、H的下标1或2分别表示在媒质1或2内紧靠分界面的场矢量,ρs为分界面上的自由电荷面密度,Js为分界面上的传导电流面密度。式(1)表示在分界面两侧电位移矢量D的法向分量的差等于分界面上的自由电荷面密度。当分界面上无自由电荷时,两侧电位移矢量的法向分量相等,即其法向分量是连续的。式(2)表示在分界面两侧电场强度E的切向分量是连续的。式(3)表示在分界面两侧磁通密度B的法向分量是连续的... 关于D的高斯定律的疑问 D是静电场的概念,假如取一个带电荷量为Q的绝缘球在真空中,外取高斯面,包围的电荷就是Q 我觉得你是在位 自由电荷 和 绝缘球上的电荷 在纠结大学物理课本上定义是没有“自由电荷”,就是“所包围的电荷” ps:电流,电容分析是以恒流场近似静电场后计算的 电位移线只出现在有电介质的空间吗 为什么?还有,电位移线和电场线到底有什么区别啊 与用电场线(E线)表示场强E一样,我们也可以用电位移线(D线)来表示电位移D,并规定,与D垂直的单位面积内的所通过的电位移线数,等于该点处D的量值.电位移线与电场线相似.不过,E与D的关系式与单位制有关,如果. 关于高斯定理,下面说法错误的是: A不正确:Q=∫(D·da)说明高斯面内不包围自由电荷则面上电位移矢量D的积分为0,而不是各点都为0.例子就是极化的电荷或者感生电场的存在会导致面上不同位置D不为0,但是面上的D积分仍然是0.B不正确:高斯面上处处D为0,则. 麦克斯韦经典电磁理论 麦克斯韦在稳恒场理论的基2113础上,提出了涡旋电场5261和位移电流4102的概念。这就是麦克斯韦电磁1653场理论的基本概念如下:变化的电场和变化的磁场彼此不是孤立的,它们永远密切地联系在一起,相互激发,组成一个统一的电磁场的整体。麦克斯韦电磁场理论的要点可以归结为: 1、几分立的带电体或电流,它们之间的一切电的及磁的作用都是通过它们之间的中间区域传递的,不论中间区域是真空还是实体物质。2、电能或磁能不仅存在于带电体、磁化体或带电流物体中,其大部分分布在周围的电磁场中。3、导体构成的电路若有中断处,电路中的传导电流将由电介质中的位移电流补偿贯通,即全电流连续。且位移电流与其所产生的磁场的关系与传导电流的相同。4、磁通量既无始点又无终点,即不存在磁荷。5、光波也是电磁波。麦克斯韦方程组是由四个微分方程构成:(1)、?·E=ρ/ε0,描述了电场的性质。在一般情况下,电场可以是库仑电场也可以是变化磁场激发的感应电场,而感应电场是涡旋场,它的电位移线是闭合的,对封闭曲面的通量无贡献。(2)、?·B=0,描述了磁场的性质。磁场可以由传导电流激发,也可以由变化电场的位移电流所激发,它们的磁场都是涡旋场,磁感应线都... 静电场的高斯定理和环路定理说明静电场是个什么场? 静电场的高斯定理和环路定理说明静电场是个有源保守场。以下是分别根据高斯定理和环路定理证明静电场:高斯定理证明:在静电场中,由于自然界中存在着独立的电荷,所以电场线有起点和终点,只要闭合面内有净余的正(或负)电荷,穿过闭合面的电通量就不等于零,即静电场是有源场。环路定理证明:在静电场中,场强沿任意闭合路径的线积分等于0。与静电场力作功和路径无关是一致的,这种力场也叫保守力场或势场。在磁感应强度B沿任何闭合路径的线积分,等于这闭合路径所包围的各个电流的代数和乘以磁导率。扩展资料高斯定理在电场强度求解中的应用:求解电场强度E可用高斯定理。利用库仑定律连同场强叠加原理对点电荷、点电荷系的场强一般都可求解;对连续分布带电体系的场强原则上也可求解,但对具体问题必须知道电荷的连续分布函数才能求解。利用高斯定理求解场强有一定局限性,一般只能对具有某种对称性分布的场强可求解。利用高斯定理求解场强必须遵从两个步骤:其一,必须对所涉及的带电体系产生的场强进行定性分析,明确场强方向和大小的分布规律;其二,依据场强分布规律,判断能否用高斯定理求解,能则构建适当的高斯面进行求解。参考资料:百度百科—高斯定理百度百科... 静电场的高斯定理和环路定理说明静电场是个什么场 静电场的高斯定理和环路定理说明静电场是个什么场 高斯定理:矢量分析的重要定理之一。穿过一封闭曲面的电通量与封闭曲面所包围的电荷量成正比。换一种说法:电场强度在一... 如何精准理解高斯定理电位移公式? 高斯定理电位移公式公式表达:∫(E·LDA)=4π*S(ρorvts)适用条件:任何电场静电场(见电场)的基本方程之一要理解公式首先要知道:曲面的电通量与封闭曲面所包围的电荷量成正比。由于磁力线总是闭合曲线,因此任何一条进入一个闭合曲面的磁力线必定会从曲面内部出来,否则这条磁力线就不会闭合起来了。与静电场中的高斯定理相比较,两者有着本质上的区别。在静电场中,由于自然界中存在着独立的电荷,所以电场线有起点和终点,只要闭合面内有净余的正(或负)电荷,穿过闭合面的电通量就不等于零,即静电场是有源场。

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