禁带宽度和波长的关系？ 禁带宽度单位是电子伏特，这也是光子能量单位，每个波长都对应一个光子能量，知道波长就可以算出光子能量…
紫外漫反射怎么测禁带宽度？ 紫外漫反射的数据作图怎么得出禁带宽度，我可以提供数据 本文首发于微信公众号“研之成理”（rationalscience），撰文：邹世辉 1.直接带隙半导体与间接带隙半导体 。
如何精确计算半导体禁带宽度 对于常用的Si、Ge和2113GaAs等半导体，在由原子结合而成为晶体5261的时候，价键将要产生所4102谓杂化（s态与p态混合—1653—sp3杂化），结果就使得一条原子能级并不是简单地对应于一个能带。所以，当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的—负的温度系数。当掺杂浓度很高时，由于杂质能带和能带尾的出现，而有可能导致禁带宽度变窄。禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于BJT，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低
硅的禁带宽度是多少？对应多少波长 硅的禁带宽度大概是1.1-1.3V，具体是随着温度变化的，随温度变化的关系可以看下面“参考资料”里面那篇文章，文章中提供了好几个经验公式.对应波长：L=c/f=c/(E/h)=c*h/E这里E是光子能量，c是光速，h是普朗克常数.取c=3*10^8m/s h=4.136*10^(-15)eV/s温度为300K时，硅的禁带宽度1.124V，则E=1.124eV得到对应波长为：L=1.104*10^(-6)=1.104um也就是大概1.1um左右.
关于计算禁带宽度？ 1.这个图正确的应该是（ahv）^2~hv的曲线图，其中a为吸收系数，a=-1/d*lnT，d为厚度（一般测禁带宽度时，使用的是薄膜样品，所以d即为膜厚）；2.图中的直线并不是直接通过测试的数据得到的，而是先画出（ahv）^2~hv的曲线图后，采用外推法，在曲线的拐点处做切线，外推至x轴，即f（（ahv）^2）=0时，该直线与x轴交点处的值，即为该样品的禁带宽度。这就是你图中所对应的3点几eV；3.hv是光子能量，不是禁带宽度，在这个图中，只表示的是曲线部分的横坐标，与直线无关O(∩_∩)O~。4.大概就这些，详细的内容，楼主可以查阅一下 到江大论坛网站查看回答详情>；>；
