据最新报道，台积电在2nm芯片技术上取得了重大突破，虽然目前尚未透露具体细节。但有消息称，2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性实验，并于2024年进入量产阶段。
台积电还表示，2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距，并继续推进1nm工艺的研发。
预计到时候苹果、高通、英伟达、AMD等客户有望率先采用其2nm工艺。
据悉台积电2nm将会采用多桥通道场效晶体管 (MBCFET)架构，这一架构有助于克服鳍式场效晶体管 (FinFET)架构因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。台积电在2nm制程上采用这一工艺架构，将有助于提高2nm的生产能力。
目前三星已经在5nm工艺的研发上投入了约4.8亿美元，3nm砷化镓场效应管的研发将大大超过5亿美元。虽然台积电很少披露具体工艺节点的投资数字，但我们可以想象。
