现在市面是的SSD都采用了3DNAND存储技术，与2DNAND相比，3DNAND能够实现更高的容量和性能、更低的功耗和成本，这也是为什么众多厂商都在积极研发和推出更高层数的3DNAND产品。而全球闪存大厂美光近期宣告了自己最新的第五代3DNAND闪存技术，堆叠层数达到176层。
美光176层NAND支持的接口速度为1600MT/s，高于其96层和128层闪存的1200MT/s。与96LNAND，相比之下，读写延迟降低了35%以上，与128LNAND相比，降低了25%以上。与使用96LNAND的UFS3.1模块相比，美光芯片的总体混合工作负载降低了约15%。
美光表示其176层3DNAND已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级SSD产品中出货。
而其他厂商，三星正在开发176层第七代V-NAND，计划明年4月实现量产，SK海力士也正在进行176层3DNAND的研发。至于英特尔，之前是计划在今年年底实现更高层数144层产品的量产，但不知道英特尔出售闪存业务是否会影响到技术量产。
