据中国台湾地区经济日报报道,台积电2nm工艺取得重大突破,研发进度超前,业界看好其2023年下半年风险试产2nm良率可以达到90%。
有别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构,台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构,研发进度超前。
据中国台湾地区经济日报报道,台积电2nm工艺取得重大突破,研发进度超前,业界看好其2023年下半年风险试产2nm良率可以达到90%。
有别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构,台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构,研发进度超前。