常见CVD氧化物成膜系统 PVD和CVD分别是什么？

气相沉积分为那几类方法？CVD法包括那几个过程？PVD法有哪些方法，它们各自的原理是咋样的？ 这个问题越来越难了，2113哈哈，还是 我回5261答，不知道你到底要做什么产品4102，1653问看真有回答你的，你这样问，说了这个行业广，没有办法回答，手打没有办法，可以复制点给你。CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。其技术特征在于：（1）高熔点物质能够在低温下合成；（2）析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种；（3）不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在粉体表面涂层，等。特别是在低温。当前凝聚态物理（理论以及实验）有哪些研究热点和难题？ 相关问题：当前高能物理（理论和实验）有哪些研究热点和难题？CVD（化学气相沉积）的原理及应用是什么 其含义c是气3相中3化21131学反5应的固体产物沉积到5261表面。CVD装置由下4102k列部件组成；反7应物供应系统，气3相反7应器1653，气4流传送系统。反6应物多为0金属氯化8物，先被加热到一g定温度，达到足够高的蒸汽压，用载气5（一s般为6Ar或H3）送入v反4应器。如果某种金属不a能形成高压氯化4物蒸汽，就代之d以8有机金属化2合物。在反2应器内4，被涂材料或用金属丝悬挂，或放在平面上y，或沉没在粉末8的流化0床中7，或本身就是流化5床中4的颗粒。化3学反3应器中7发生，产物就会沉积到被涂物表面，废气1（多为2HCl或HF）被导向碱性吸收或冷阱。沉积反3应可认4为5还原反2应、热解反7应和取代反0应几a类。CVD反3应可分6为5冷壁反7应与l热壁反0应。在热壁反1应中7，化1学反4应的发生与t被涂物同处一h室。被涂物表面和反3应室的内1壁都涂上b一z层薄膜。在热壁反8应器中1只加热被涂物，反3应物另行导入q。2011-10-2811：18：35石墨烯具有哪些化学性质 石墨烯具有如下化学性质：21131、生物相容性：羧基离子的5261植入可使石墨烯材料表面具有4102活性功能团，从而大幅度提高材1653料的细胞和生物反应活性。石墨烯呈薄纱状与碳纳米管的管状相比，更适合于生物材料方面的研究。并且石墨烯的边缘与碳纳米管相比，更长，更易于被掺杂以及化学改性，更易于接受功能团。2、氧化性：可与活泼金属反应。3、还原性：可在空气中或是被氧化性酸氧化，通过该方法可以将石墨烯裁成小碎片。[25]石墨烯氧化物是通过石墨氧化得到的层状材料，经加热或在水中超声剥离过程很容易形成分离的石墨烯氧化物片层结构。加成反应：利用石墨烯上的双键，可以通过加成反应，加入需要的基团。4、稳定性：石墨烯的结构非常稳定，碳碳键（carbon-carbon bond）仅为1.42。石墨烯内部的碳原子之间的连接很柔韧，当施加外力于石墨烯时，碳原子面会弯曲变形，使得碳原子不必重新排列来适应外力，从而保持结构稳定。这种稳定的晶格结构使石墨烯具有优秀的导热性。另外，石墨烯中的电子在轨道中移动时，不会因晶格缺陷或引入外来原子而发生散射。由于原子间作用力十分强，在常温下，即使周围碳原子发生挤撞，石墨烯内部电子受到的干扰也非常小。[26]同时，。半导体外延生长有哪些方式？ 外延(Epitaxy，简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(Si/Si)，也可以是异质外延层(SiGe/Si 或SiC/Si等)；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)，常压及减压外延(ATM&RP Epi)等等。本文仅介绍广泛应用于半导体集成电路生产中衬底为硅材料的硅(Si)和锗硅(SiGe)外延工艺。根据生长方法可以将外延工艺分为两大类(表1)：全外延(Blanket Epi)和选择性外延(Selective Epi，简称SEG)。工艺气体中常用三种含硅气体源：硅烷(SiH4)，二氯硅烷(SiH2Cl2，简称DCS)和三氯硅烷(SiHCl3，简称TCS)；某些特殊外延工艺中还要用到含Ge和C的气体锗烷(GeH4)和甲基硅烷(SiH3CH3)；选择性外延工艺中还需要用到刻蚀性气体氯化氢(HCl)，反应中的载气一般选用氢气(H2)。外延选择性的实现一般通过调节外延沉积和原位(in-situ)刻蚀的相对速率大小来实现，所用气体一般为含氯(Cl)的硅源气体DCS，利用反应中Cl原子在硅表面的吸附小于氧化物或者氮化物来实现外延生长的选择性；由于SiH4不含Cl原子而且活化能低，一般仅应用于低温全外延工艺；而另外一种常用硅源TCS蒸气压低，在常温下呈液态，需要通过H2鼓。常用的成膜材料是哪些呢？ 常用的成膜材料是聚乙烯醇缩甲乙醛、聚乙烯醇缩甲丁醛、聚乙烯醇、火棉胶、玉米朊、羧甲基纤维素钠、聚乙烯吡咯烷酮等；增塑剂有邻苯二甲酸二丁酯、甘油、丙二醇、山梨醇、。什么是真空镀膜技术？ 所谓真空镀膜就是置待镀材料和被镀基板于真空室内，采用一定方法加热待镀材料，使之蒸发或升华，并飞行溅射到被镀基板表面凝聚成膜的工艺。一、镀膜的方法及分类 。常见的酸性氧化物，和碱性氧化物有哪些 酸性氧化物：一般是非金属元素的氧化物和某些过渡金属元素的高价氧化物。例如三氧化硫SO3、五氧化二磷P2O5、Mn2O7七氧化二锰、三氧化铬CrO3等。碱性氧化物：包括活泼金属氧化物和其他金属的低价氧化物，如Na2O、CaO、BaO和CrO、MnO。

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