是什么原因造成IGBT击穿短路？ 集电极与发射极之间的电压高于最高工作就会击穿。通常由IGBT从闭合(close)到打开(open)过程中电流突然下降造成的尖峰电压(voltage spike)所导致，因为在IGBT以及电路中会有不可避免的感性阻抗。IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。扩展资料：一、IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。二、若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正。
IGBT 如何防止静电击穿？ IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断产生瞬间尖峰电压，如果尖峰电压超过IGBT的最高峰值电…
IGBT如何检测。懂行的进来围观一下！ 只知道检测IGBT模块的方法，如下：将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块。以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P(集电极c1)，黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N(发射极e2)，黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右；黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性，万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示，则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时，说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。
请问IGBT模块好坏检测的方法 检测IGBT模块的好坏2113的方法：1、判断极性首先将万用表拨5261在 R×1K。挡，用万4102用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷1653大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C)：黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（C)，红表笔接 IGBT 的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C)，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E)，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管(P 一 MOSFET）的好坏。扩展资料：IGBT模块注意事项由于IGBT模块为MOSFET。
