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求MOS管( MOSFET)基础知识:结构,特性驱动电路及应用?? mos管驱动电路中的自举电路

2020-10-18知识13

什么是自举电路?答;在电子电路中,利用晶体管的单向导电特性,电阻、电容器的充放电性质,将电子放大电路中的电压进行叠加提高的电路,俗称自举电路。(自举电路存在的方式,只是在实践中定的名称,在理论上没有它的名词概念)以下图为例。在上图oTL功率放大器电路中,R(510Ω)、RC1.(650Ω)电阻为自举电阻。C2(100uF)电解电容器为自举电容。自举电路在oTL放大器,提升电压的目的,只是对于负载提供一个自举交流信号通路。工作时,R、C1将自举电压加至V2(3DG12)三极管的基极b。当V1三极管集电集信号为正半周期时,Ⅴ2导通进行信号放大,当输入V2三极管基极b的交流信号比较大时,V2基极信号电压高,此时V2三极管的发射集e电压跟着基极b电压,V2的发射极电压接近于直流工作电压+Ucc,这样就迫使V2集电极与发射极两点的直流电压迅速减小,此时V2最容易进入饱和状态,使三极管的基极b电流控制集电极电流。通俗一点说,三极管集电极C与发射极e之间由于工作电压下降后,基极b上的控制电流增大很多才能够使三极管集电极C的电流有一点增大,显然使正半周放大信号输出受到了阻碍抑制,造成正半周信号波形与幅度失真,造成输出不良,所以必须采用自举电路来加以补偿。由于自举。

求MOS管( MOSFET)基础知识:结构,特性驱动电路及应用?? mos管驱动电路中的自举电路

请问下MOS高边驱动时一定要加自举电容吗? 不一定,主要看Vgs电压,要是高侧mos的Vgs电压能满足要求就不需要加自举电路,自举电路只是在单电源供电时,高侧Vgs打不到控制要求而做的,当使用隔离电源控制就不需要自举。自举电路也叫升压电路,利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件,使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高.有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。

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IR2110的自举电路是什么作用,不自举可以吗,直接将Vs接地 不行。因为上桥臂的MOS管要饱和导通,必须要在门极与源极间加一个适当的电压。一般约10V左右,才能使MOS管导通时的内阻达到其额定值。此电压高一点其内阻会小一点,但太高则会损坏MOS管。当上桥臂MOS管导通时,其内阻Rds很小,甚至只有1~2mΩ,此时源极的电压基本上等于电源电压,那可能远高于控制驱动回路电压的。造成门极电压不可能高于源极要求的电压,上桥臂MOS管也就不可以很好的导通了。解决的办法是,将上桥臂的驱动电路悬浮起来,Vs接上桥臂MOS管的S极,作为驱动电压的参考点。将自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压(等于控制回路电压减去一个隔离二极管的正向压降约0.6V的电压)来提供对上桥臂的驱动,使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。不用自举电路是不行的。在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的,下桥臂MOS管的漏极D(即上桥臂MOS管的源极S)的电压,可能远高于控制回路的电压,若将Vs接地,不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求,甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110.

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请问下MOS高边驱动时一定要加自举电容吗? 主要看Vgs电压,要是高侧MOS的Vgs电压能满足要求就不需要加自举电路,自举电路只是在单电源供电时,高侧Vgs打不到控制要求而做的,当使用隔离电源控制就不需要自举。

#三极管开关电路#mos管工作原理#驱动电路#三极管#mos管

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