芯片技术不断突破此起彼伏，现在已经到4nm，那么最终能够达到1nm或者更小吗？ 据我所知道的一些消息，芯片技术低于3纳米就会出现电子洞穿效应，以目前的技术可能还无法应对。所以现在的普遍认知是，碳纳米管可能会成为一种趋势，如果用碳纳米管做电子芯片，据说可以将芯片的频率提升到10个多G，当然目前这也是处于理论阶段，最终结果会怎么样也只能靠时间来验证了。
电子信息工程专业去美国留学，申请哪个学校比较好？ 选择美国著名大学，是很多计划申请美国研究生的人在择校的时候都会期望的。美国电子工程专业是留学申请中比较热门的专业，下面就来看看去美国大学读电子工程的人有哪些名校可以申请。1.麻省理工学院(MIT)MIT是美国电子工程专业的顶尖高手，早在二战前后就是电子工程的黄金时代。MIT的电子实验室的雷达研究影响了一代人，战后各校的EE系电磁研究如火如荼，虽然主力是从战场上下来的研究人员，但MIT在这方面的影响可以说是profound。当然，MIT早期在电机(及相关的现在看来是初级的电路)的研究方面也是开拓性的。MIT在电子工程方面的影响粗糙概括一下就是领导了传统的电机研究，领先开拓了现代电子(尤其是与军事有关的)研究，比如电磁/雷达。MIT后来在诸多领域都有很牛的人物，大家耳熟能详的研究信息论的克劳德？香农就是其中的代表人物之一、晶体管之父肖克利等等。2.Stanford如果在CS领域，Stanford和Berkeley有一争的话(很多认为Stanford更基础些，更强)，那么在电子工程领域，Stanford绝对是后MIT时期的弄潮儿，不为别的，Stanford工程学院早期的院长图门先生(曾在MIT学习)力主在西部开辟电子工业，他的学生H&最早响应，这有了HP公司，有了SUN(Stanford。
如何看待台积电 2nm 制程研发取得突破，将切入 GAA 技术？ 据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在 2nm 研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(g…
台湾芯片代工业为什么比大陆领先很多？ 台湾无论是芯片研发投入还是芯片研发相关的收入和大陆比都是小萝卜头。
加州大学伯克利分校是一所怎样的大学？ 加州大学伯克利分校（University of California，Berkeley），是美国最负盛名且是最顶尖的一所公立研究型…
finfet和普通cmos的区别 一，FinFET称为鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明（Chenming Hu）教授[1]。胡正明教授1968年在台湾国立大学获电子工程学士学位，1970年和1973年在伯克利大学获得电子工程与计算机科学硕士和博士学位。现为美国工程院院士。2000年凭借FinFET获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖（DARPA Most Outstanding Technical Accomplishment Award）。他研究的BSIM模型已成为晶体管模型的唯一国际标准，培养了100多名学生，许多学生已经成为这个领域的大牛，曾获Berkeley的最高教学奖；于2001~2004年担任台积电的CTO。二，CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。在计算机领域，CMOS常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的RAM芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。在今日，CMOS制造工艺。
胡正明的个人成就 胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。主要科技成就为：领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出：首先提出热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。1985年应严东生院士邀请，胡正明等三位美国科学家提出了发展我国微电子科学技术的战略性的重要咨询建议，对当时我国微电子科学技术的发展有较大影响。1981年以来与电子科技大学、中国科学院微电子所、北京大学、清华大学、复旦大学、浙江大学等校进行合作研究并作学术讲座，协助推动在中国召开国际会议。1990年在北大与清华设置五名研究生奖学金，并鼓励中国留学生回国发展半导体工业。胡正明为国立台湾大学电机工程学士、柏克莱加大电机及计算机硕士、。
最厉害的人才都去美国了吗？
中国最历害最有成就的芯片专家是谁 中国 最厉害的芯片专家之一，胡正明教授 胡正明，1947年7月出生于中国 北京，微电子学家，美国工程科学院院士、中国科学院外籍院士，美国加州大学伯克利分校 杰出讲座教授。。
胡正明的介绍 胡正明（Chenming Hu），微电子学家。美国国籍。祖籍江苏省金坛市城西马干村1。1947年7月出生于中国北京。1968年台湾大学电机系毕业，获学士学位。1969年赴美国加州大学伯克利分校留学，1970年获硕士学位。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学（新竹）微电子器件荣誉教授、1991-1994年任清华大学（北京）微电子学研究所荣誉教授。1997年当选为美国工程科学院院士。22007年当选中国科学院外籍院士。2015年12月获得美国国家技术和创新奖。
