求高效逆变电源设计？？ 摘要：本文简述了PWM控制芯片SG和高压驱动器IR2110的性能和结构特点，同时详细介绍了采用以SG为核心器件的高频逆变电源设计。关键词：PWM；SG；IR2110；。
给igbtge间加电压，为什么导通电阻那么大 你的自举电容多大？驱动IGBT的电压是多少V的？IGBT的ge之间的电荷量是多少库伦？个人感觉：你的Rg太大。是不是你的Rg太大，自举电容太小或者驱动电压太低，导致门极电压。
求帮忙设计直流电机转速与控制系统 基于2407单片机的直流电机PWM调速系统学 生：张 洋专 业：电气工程及其自动化班 级：09020702指导教师：周素盈二．系统总体方案论证2.1系统方案比较与选择方案一：采用专用PWM集成芯片、IR2110 功率驱动芯片构成整个系统的核心，现在市场上已经有很多种型号，如Tl公司的TL494芯片，东芝公司的ZSK313I芯片等。这些芯片除了有PWM信号发生功能外，还有“死区”调节功能、过流过压保护功能等。这种专用PWM集成芯片可以减轻单片机的负担，工作更可靠，但其价格相对较高，难于控制工业成本不宜采用。方案二：采用24071单片机、功率集成电路芯片L298构成直流调速装置。L298是双H高电压大电流功率集成电路，直接采用TTL逻辑电平控制，可用来驱动继电器、线圈、直流电动机、步进电动机等电感性负载。其驱动电压为46V，直流电流总和为4A。该方案总体上是具有可行性，但是L298的驱动电压和电流较小，不利于工业生产应用，无法满足工业生产实践中大电压、大电流的直流电机调速。方案三：采用2407单片机、IR2110功率驱动芯片构成整个系统的核心实现对直流电机的调速。2407具有两个定时器T1和T2。通过控制定时器初值T1和T2，从而可以实现从任意端口输出不同占空比的脉冲波形。
场效应管有什么用处？ 场效应管的用途非常广泛，现在一些大规模集成电路中都是采用的mos管，即场效应管，基本功能和BJT三极管一样都是开关和放大，BJT三极管可以使用的地方，基本上它都能用，并且在有些地方表现要比三极管更加出色。场效应管放大作用场效应管和BJT三极管虽同为半导体放大器件，却比三极管有很多优点，比如输入电阻很高，对信号源几乎不取电流，这很有利于输入信号的稳定，是作为输入级放大的理想器件，并且还有噪声低，温度稳定性好等优点，常常用于音频放大电路的前置放大器，但由于它是一种电压控制电流器件，由栅源之间的电压控制漏极电流，放大系数低频跨导一般不大，所以放大能力较差。场效应管的开关作用场效应管作为电子开关使用时，由于只靠多子导电，不存在如BJT三极管因基极电流引起的电荷储存效应，所以MOS管的开关速度要比三极管快，作为开关管经常用于高频大电流场合，比如开关电源中用到的MOS管就是工作在高频大电流状态。场效应管开关和BJT三极管开关相比可以在很小的电压和电流下工作，更容易集成在硅片上，所以在大规模集成电路中有很广泛的应用。点赞 是一种美德！
igbt自举驱动是什么意思？可以不要驱动模块就能驱动？请大神指教下 我也是现学现卖的。驱动是省不了的，只是驱动设计可以简化。原理是在igbt的门极和射极之间引入自举电容和自举二极管，这个电容会在igbt关断期间预先充电，这样当驱动信号来临时，可以迅速打开igbt。自居电容和二极管要根据控制脉冲的宽度来设计。不能太大太小。
脉冲方波和直流电压叠加如何叠加？
Mosfet的栅极驱动分为高侧驱动和低侧驱动，这个高低侧驱动是什么意思呢？求详解。 一般的逆变器、开关电源、电机驱动等应用中都需要2个以上mosfet或者IGBT构成桥式连接，其中靠近电源端的（比如图中红色部分）通常被称为高压侧或上臂、靠近地端的通常被称为低压侧或下臂（比如图中蓝色部分），高低只是针对两者所处位置不同，电压值不一样来区分的。如果用驱动单个mosfet的方法去驱动高压侧的功率管，当需要关断下臂的时候，那么基本上臂是无法导通的，所以上臂和下臂的驱动电压值是不一样的，上臂要略高于下臂。传统的方法一般是多路电源驱动或者搭建自举升压电路。但是都存在器件过多，可靠性低的问题，而且器件多了以后在高频应用中分布参数、布线、电磁干扰都是问题。所以现在一般都是用专用的驱动芯片去做。比如给你的Datasheet截图中就是使用的型号为IR2130的一个3相6输出的mosfet/IGBT驱动专用芯片。如果做设计或者DIY建议使用专用芯片比较好一些
