晶界处碳偏聚的测量，有什么方法，用俄歇电子能谱 ，只能测量端口处晶界处元素的偏距吗，求大神解答。 俄歇电子在固体中运行也要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于 10~500电子伏，它们的平均自由程很短，大约为5~20埃，因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。所以不论是端口还是断口，俄歇电子能谱只能考察固体的表面层。望采纳
俄歇电子能谱图与光电子能谱图的表示方法有何不同？为什么？两个产生光子的机理不同 俄歇效应 是原子的内层电子跃迁产生的 当用高能电子撞击原子内层电子时，原子的内？
俄歇电子分析中为什么没有涉及二次电子能谱 不着调，我学的是中阮 测定俄歇电子的能量从而获得固体表面组成等信息的技术。处于激发态的原子可能发生两类过程（图1）。一类是内壳层空穴被外壳层电子所填充，由此释放出。
