磁控溅射的利用效率 磁控溅射靶材的利用率可成为磁控溅射源的工程设计和生产工艺成本核算的一个参数。截止2012年，还没有见到对磁控溅射靶材利用率专门或系统研究的报道，而从理论上对磁控溅射。
在一般的磁控溅射过程中，溅射靶材的温度会达到多高？且溅射腔室内部，靠近基片传输的位置，温度会有多高 溅射靶材的温度取决于2113能量的高低，举5261例：-1气压，功率5KW，偏压0。靶材4102表面温度为200度左右，1653基片温度不会高于100度~如果上升到10Kw，靶材表面温度会接近400度，基片会达到150度左右，我说的基片距离靶材有10厘米左右~此时热量为热辐射传热，离靶材远的地方辐射相对小，温度就低一点~
磁控溅射镀膜机的工作原理是什么？ 磁控溅射原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材。
溅射和溅射靶材的区别和用途 溅射是一个过程名词，溅射靶材：是指可通过电流束缚磁场方向轰击其表面才生离子的材料一般溅射靶材可分为：金属靶材，非金属靶材，陶瓷靶等等
