晶体形成问题 成核长大推动力

什么叫初次再结晶？什么叫二次结晶？什么叫晶粒长大？ 初次再结晶是指固体受热软化产生塑性变形后，从这种塑性变形的具有应变的基质中，产生出新的无形晶粒的成核和长大抄过程。次过程的推动力主要是由于基质塑性变形所增加的能量，贮藏于基质中的这一能量虽然不大，但却足以影响晶粒大小的变化和晶界的移动。不管初次再结晶是否发生，细颗粒晶体聚集在高温下其平均晶粒尺寸总会增大，并伴随有一些较小的晶体被兼并和消失。所以晶粒尺长大速度是与这些被兼并晶粒的消失速度相当的，这一过程的百推动力是晶界过剩的表面能。在晶粒长大过程中，伴随的晶界移动，可能被杂质或气孔等所阻滞。但当坯体中存在着某些边数较多度，晶界能量特别大的大晶粒时，它们就可能越过杂质和气体继续推移，以致又增大了界面曲率，加速了长大，这就称为二次结晶或异常晶体长大。晶粒生长的定义 晶粒生长与二次再结晶过程往往与烧结中、后期的传质过程同时进行的。初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。。发生再结晶和晶粒长大驱动力区别？ 初次再结晶是指固体受热软化产生塑性变形后，从这种塑性变形的具有应变的基质中，产生出新的无形晶粒的成核和长大过程。次过程的推动力主要是由于基质塑性变形所增加的能量，贮藏于基质中的这一能量虽然不大，但却足以影响晶粒大小的变化和晶界的移动。不管初次再结晶是否发生，细颗粒晶体聚集在高温下其平均晶粒尺寸总会增大，并伴随有一些较小的晶体被兼并和消失。所以晶粒尺长大速度是与这些被兼并晶粒的消失速度相当的，这一过程的推动力是晶界过剩的表面能。在晶粒长大过程中，伴随的晶界移动，可能被杂质或气孔等所阻滞。但当坯体中存在着某些边数较多，晶界能量特别大的大晶粒时，它们就可能越过杂质和气体继续推移，以致又增大了界面曲率，加速了长大，这就称为二次结晶或异常晶体长大。强核力和弱核力的区别在于什么？ 强核力是凝聚质子和中子构成原子核，以及把电子凝聚成中子或质子的作用力。弱核力是将原子核或中子破解的作用力。其实不论是强核力还是弱核力都是物质粒子与混沌场相互作用的结果。结晶是物理变化还是化学变化 物理变化（没有新物质生成）楼主说的CuSO4晶体不叫结晶，那是生成晶体，属化学变化！结晶的主要方法有：热饱和结晶，冷凝结晶，蒸发结晶等！谢谢 是物理变化 溶质从溶液中。等轴晶粒是什么？ 等轴晶，晶粒在各方向上尺寸相差较小的晶粒叫等轴晶。如黄铁矿，在三个垂直方向具有相同的长度。对于所有晶体来说，其立方等轴结构基本是完全百对称的。有时候晶粒一词也用来泛指岩石中晶质矿物的颗粒。此时又可根据其晶形发育程度分为：自形—具有该种矿物比较完整的应有的晶形特征；半自形—仅具有该种矿物应有晶形的大致轮廊；他形—因受周围晶粒的限制而生长度成任意的不规则状。扩展资料专：晶粒移动规则：1、晶界上有界面能的作用，因此晶粒形成一个在几何学上与肥皂泡相似的三维阵列。2、晶粒边界如果都具有基本上相同的表面张力，晶粒呈正六边形。3、在属晶界上的第二类夹杂物（杂质或气泡），如果它们在烧结温度下不与主晶相形成液相，则将阻碍晶界移动。在烧结体内晶界移动有以下七种方式：气孔靠晶格扩散移动；气孔靠表面扩散移动；气孔靠气相传递；气孔靠晶格扩散聚合；气孔靠晶界扩散聚合；单相晶界本征迁移；存在杂质牵制晶界移动。参考资料来源：－晶粒参考资料来源：－等轴晶太阳既然是核聚变反应，为什么不像氢弹一样瞬间炸完，而是持续不断地聚变反应？ 其实太阳的核聚变反应和很多人想象中的氢弹爆炸是有很大的不同的。弱相互作用首先，这里涉及到弱力的相关知识。首先，我们要搞清楚太阳的状态，其实太阳和我平时间到的东西不太一样。一般来说，我们看到的物质一般有三态：液态，固态，气态。那太阳呢？其实都不是，太阳是等离子态，这就意味着，太阳内部其实是指自由移动的离子和电子构成。我们都知道，构成太阳的主要是氢元素和氦元素，其中质量的大约四分之三是氢，剩下的质量几乎都是氦，其他元素连1%都不到。而太阳因为是等离子态，所以它内部的带正电其实大部分是氢离子和电子，也就是质子和电子。（因为氢的原子核内只有一个质子）知道了这些，我们再来看看核聚变，说白了就是要让质子和质子聚合成一个原子核。但是质子是带正电，两个质子相互靠近的时候，就存在了电荷排斥力，这个排斥力会阻止质子之间的聚合。这时候就需要弱力的参与。（自然界有四大作用力：引力，强相互作用力，弱相互作用力，电磁力。由于“弱相互作用力”特别的弱，说白了就是这种反应不太容易发生。有多么不容易发生呢？太阳中的一个质子和其他质子相遇聚合成一个原子核的时间可能要10亿年才能发生一次，之所以这么难，我们还可以理解成“概率。晶体形成问题 晶核是过饱和溶液中新生成的微小粒子，是晶体生长过程中必不可少的核心。成核细分为：初级成核和二次成核，其中初级成核又分为初级均相成核和初级非均相成核，二次成核又分为流体剪应力成核和接触成核。这样划分的一个基本标准是一种固相的存在与否。当一个结晶系统中不存在结晶物质的固体粒子时，出现初级成核，而二次成核发生在有晶体存在时。在过饱和溶液中已有晶核形成或加入晶种后，以过饱和度为推动力，晶核或晶种将长大，这种现象称为晶体生长。按照晶体生长的扩散学说，晶体生长由哪三个步骤组成的：第一步：待结晶的溶质借扩散穿过靠近晶体表面的一个静止流层，从溶液中转移到晶体的表面；第二部：到达晶体表面的溶质长入晶面，使晶体增大。同时放出结晶热；第三步：放出来的结晶热借传导回到溶液中。第一步扩散过程必须有浓度差作为推动力。第二是溶质长入晶体的过程，其机理还没有定论。可假设在溶质到达晶体表面后，借助于另一部分浓度差作为推动力而完成长入晶面的过程可称之为表面反应过程。至于第三步，因为大多数物质的结晶热不大，对整个结晶过程的影响可以忽略。当表面反应的速度很快时，结晶过程由扩散速率控制。同理，当扩散速率很高时，结晶过。均匀形核和非均匀形核的异同 相同点形核的驱动力和阻力相同临界晶核半径相等形成临界晶核需要形核功结构起伏和能量起伏是形核的基础形核需要一个临界过冷度形核率在达到极大值之前，随过冷度增大而增加。不同点与均匀形核相比，非均匀形核的特点：非均匀形核与固体杂质接触，减少了表面自由能的增加非均匀形核的晶核体积小，形核功小，形核所需结构起伏和能量起伏就小；形核容易，临界过冷度小；非均匀形核时晶核形状和体积由临界晶核半径和接触角共同决定；临界晶核半径相同时，接触角越小，晶核体积越小，形核越容易；非均匀形核的形核率随过冷度增大而增加定义均匀形核：新相晶核是在母相中均匀地生成，即晶核由液相中的一些原子团直接形成，不受杂质粒子或外表面的影响。非均匀成核：是指体系在外来质点，容器壁或原有晶体表面上形成的核。在此类体系中，成核几率在空间各点不同，由于模型内模型壁和杂质颗粒的作用，原子依附在其上而形核，进而降低了过冷度，使形核更加容易。自然界中的雨雪冰雹等的形成都属于非均匀成核。晶体缺陷对形核作用空位空位可通过加速扩散过程或释放自身能量提供形核驱动力而促进形核。此外，空位群亦可凝聚成位错而促进形核。位错位错可通过多种形式。

#晶体#质子质量#晶体生长#核聚变