n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质，从而形成导电沟道？p沟道的呢？另外，具体是掺在栅氧化层的什么位置呢？
如果在1000进行氧化，假设没有初始氧化层，则完成1000栅氧化层需要多少时间 流3569
mos与金半接触，为什么要加氧化层？ MOS管的结构基础是MIS结构，这里面的“I”是绝缘体的意思。而且，mos管是栅压控制电流的思路。
什么是三栅极氧化层工艺
mosfet夹断理解误区到底怎么解释？ 关于mosfet源漏电压增大使得反型层夹断的原理解释在电科微电子器件一书的解释是源漏电压的增大使得Vds增…
二氧化硅有许多用途，为什么选用它来做氧化栅层 A．Si属于半导体，是重要的半导体材料，故A正确；B．二氧化硅是制造光导纤维的材料，属于新型的无机非金属材料，故B正确；。
