igbt场效应管并联和串联有什么不同？ 两者是不同的管型，一般此类功率器件多数是并联来提高工作电流，而串联只能升高工作电压，而要提高工作电压可以选择耐压较大的管子，不必用管子来串联提高，没有必要！至于是否能加管子那要看电路的功率余量（电源、输出、驱动）一般是不行的。单管IGBT属于绝缘门极晶体管，第四代逆变技术。相对MOS管皮实耐用，MOS场效应管，属于第三代逆变技术。多个MOS管串联，其中一个炸管其他全炸。效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
大功率管IGBT 能否2个直接并联？ 可以，但不能作为降低故障方法。如果在电流容许值内的话，还应该考虑散热及驱动问题。另外并联的管子最好使用同一散热片。
用两个IGBT并联代替一个IGBT的好处？ 我们做逆变器的，刚开始的时候我们一个半桥用一个IGBT后来用两个并联的IGBT代替了这一个，现在又换成三个…
关于IGBT并联 IGBT在小电流时具有晶体管的负温度特性，而大电流时就具有场效应管的正温度特性.但是在两管并联时却是无法实现均流的，所以达不到两只管单独使用电流的和.我曾做过一个逆变，。
IGBT并联使用问题 达不到，因为IGBT是PT型器件两管并联是无法均流的，如果加上均流电阻那么采用了IGBT后应具有的低损耗优势就会无法得到保障.
igbt并联不均流会产生什么影响 其中一个容易过流损坏
谁知道IGBT最高耐压是多少？最高耐流是多少？工作稳定吗？ 耐压和耐流多少是2113igbt分类的主要2个标准。例5261如：igbt耐压等级一般有：600v，41021200v，1700v，2500v，3300v，4500v，6500v。电流低的用单管封装，电1653流大的用模块封装。而且一般igbt和frd（快恢复二极管或fwd续流二极管）并联封装在一起。例如1200v等级低电流的有：15a、20a、25a。模块封装的有：75a，100a，300a，400a，600a，800a，1200a，2400a，3600a等。关于工作稳定问题，个人认为（经验不足，请批评指正）：igbt和应用系统设计密切关联，过流、过压、过频、高温（冷却系统设计不合理）、大寄生电感等都会烧毁igbt。
