天线效应的介绍 在芯片生产过程中，暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是一根根天线，会收集电荷（如等离子刻蚀产生的带电粒子）导致电位升高。天线越长，收集的电荷也就越多，电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅，那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿，使电路失效，这种现象我们称之为“天线效应”。随着工艺技术的发展，栅的尺寸越来越小，金属的层数越来越多，发生天线效应的可能性就越大
什么是天线效应？ IC芯片中金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是一根根天线，当有游离的电荷时，这些“天线”便会将它们收集起来，天线越长，收集的电荷也就越多，当电荷足够多时，。
固态硬盘依靠什么来存储数据 当下的固态硬盘多使用的是NAND Flash作为存储介质。这是一种采用浮栅晶体管作为存储单元的介质。浮栅晶体管和普通的场效应管非常相似，只不过，浮栅管在传统的栅极下，又。
mos晶体管的MOS晶体管 - 阈值电压的影响因素 第一个影响阈值电压的因素是作为介质的二氧化硅(栅氧化层)中的电荷Qss以及电荷的性质。这种电荷通常是由多种原因产生的，其中的一部分带正电，一部分带负电，其净电荷的极性显然会对衬底表面产生电荷感应，从而影响反型层的形成，或者是使器件耗尽，或者是阻碍反型层的形成。Qss通常为可动正电荷。第二个影响阈值电压的因素是衬底的掺杂浓度。从前面的分析可知，要在衬底的上表面产生反型层，必须施加能够将表面耗尽并且形成衬底少数载流子的积累的栅源电压，这个电压的大小与衬底的掺杂浓度有直接的关系。衬底掺杂浓度(QB)越低，多数载流子的浓度也越低，使衬底表面耗尽和反型所需要的电压VGS越小。所以，衬底掺杂浓度是一个重要的参数，衬底掺杂浓度越低，器件的阈值电压数值将越小，反之则阈值电压值越高。对于一个成熟稳定的工艺和器件基本结构，器件阈值电压的调整，主要通过改变衬底掺杂浓度或衬底表面掺杂浓度进行。衬底表面掺杂浓度的调整是通过离子注入杂质离子进行。第三个影响阈值电压的因素是由栅氧化层厚度tOX决定的单位面积栅电容的大小。单位面积栅电容越大，电荷数量变化对VGS的变化越敏感，器件的阈值电压则越小。实际的效应是，栅氧化层的厚度越薄。
各种mos管都是GDS的顺序吗？如果不是，都是有什么样的顺序？ 各种MOS管，都是具有栅极（Gate，简称G）、漏极（Drain，简称D）、源极（Source，简称S）三个电极。其主要的工作原理，就是通过在栅源之间电压的改变，控制漏源之间的电流变化；这与三极管，用基极电流控制集电极电流（Ic）是不同的。优点在于，提供电压控制比电流控制更容易实现。由于MOS管都具有三个电极，因此，它们的顺序自然可以任意排列，但使用时，一定要注意栅极G不要搞错了，接了错误的电压，容易到导致栅下氧化层被击穿，导致器件损坏。
EOS失效机理情况汇总，集成电路EOS失效机理分析方案 静电损伤(ESD)：微电子器件在加工生产、组装、贮存以及运输过程中，可能与带静电的容器、测试设备及操作人员相接触，所。
MDM芯片EOS/ESD损坏后，能切片分析吗？
