显卡的尺寸是怎样计算？ 没法计算，越高端的显卡体积越大，这是为了更好的散热考虑的。如果你的是小机箱最好拿个尺子量好了再买！
芯片存储容量计算 原发布者：huangly87 1.芯片容量=2的 地址线 位数次方乘以数据线位数比如地址线8位，数据线4位芯片容量就是2的8次方乘以4=1024位2.若单片机外存储器芯片容量为2kb，起始地址。
计算机芯片制程极限是多少？ 其中Robert 的专利页：https：// pdfpiw.uspto.gov/.piw？ docid=02981877&PageNum=4&IDKey=A98A44428B57&HomeUrl=http：//patft.uspto.gov/netahtml/PTO/patimg.htm 。
如何计算天线读取距离 最大读取距离和接收机灵敏度有关，发射信号功率加上天线增益（发射天线、接收机天线），然后改功率减去路径损耗（该损耗和路经距离有关），得到接受功率，该接受功率比上接收机噪声就是接收机S/N，当恶化到接收机sn门限以下就完蛋.所以距离越远，路径损耗越大，接受S/N就差.就向一楼所说的，一般采用实测，计算没有什么意义.但是思路就是上面那个，接收机的最差SN只能自己去查产品说明咯
dmd芯片尺寸大小 举个例子，DMD 的分辨率为1024x1024，忽略间隙，用平方英寸除以1024*1024就可以计算出每个像素的抄大小为x，经过2倍放大物镜可以得到尺寸为2x，这样是不是就没有以前清晰了，图片放百大了不清晰也可以这么度理解，这是微观。从整个DMD芯片来讲，如果分辨率都是一样的，一个面积为y，一个为知2y，前者经过2倍物镜放大为2y，后者经过1倍物镜放大为2y，前者像素变大一倍，后者像素不变，从投影的图上看，前者像素大小是后者两倍，所以像素一定时DMD 越大越道好
镜头的焦距有两种计算公式 1. 镜头的焦距，视场大小、工作距离计算如下： 焦距f ＝ WD × CCD芯片尺寸( H or V) / FOV( H or V) 2. 镜头的焦距，工作距离、放大倍数 计算如下： 焦距=工作距离*放大倍数/(放大倍数+1) 而放大倍数 ＝ CC 想问什么？而放大倍数=CCD尺寸/FOV. 这样第一种的计算就可转化为f=WD*放大倍数。这与第二种计算公式明显矛盾，求解释。非专业人士勿扰。
请问相机传感器尺寸怎么计算，比如1/1.63和1/2.3英寸换算成面积分别是多大的？ 小尺寸传感器的这种表示方2113式是指的对角线5261长度，但是不同长宽4102比面积是不同的，例如3：2和4：3的传感器面积，就1653算是同样的对角线长度面积也不同，长宽比越接近1：1面积越大常见的1/1.63英寸传感器长宽是8.07×5.56毫米，面积是44.8692平方毫米常见的1/2.3英寸传感器长宽是6.17×4.55毫米，面积是28.0735平方毫米1/1.63英寸传感器面积大约1/2.3英寸传感器的1.6倍，性能差别还是比较明显的，画质差异肉眼明显可见当然只看传感器面积也不能完全说明问题，还有像素多少问题，如果1/1.63传感器像素比1/2.3传感器高很多，可能单个像素点的宽度就差不多，那么性能也就差不多，所以单个像素点的宽度才是问题的核心不过像1/1.63英寸这种数码相机中的大尺寸传感器，一般都是高端机型使用的，强调高画质，所以不会把像素做得太高，高像素小传感器是中低端卡片机用来忽悠不了解技术细节的消费者的
电流密度计算公式？ 电流密度计算公式：J=I/S。其中，I是标量，描写一个面的电流情况，J是矢量场，描写每点的电流情况。电流密度时常可以近似为与电场成正比，以方程表达为J=σE。其中，E 是电场，J 是电流密度，σ是电导率，是电阻率的倒数。电流密度电流密度是描述电路中某点电流强弱和流动方向的物理量。它是矢量，其大小等于单位时间内通过某一单位面积的电量，方向向量为单位面积相应截面的法向量，指向由正电荷通过此截面的指向确定。导线中不同点上与电流方向垂直的单位面积上流过的电流不同，为了描写每点的电流情况，有必要引入一个矢量场-电流密度J，即面电流密度。每点的J的方向定义为该点的正电荷运动方向，J的大小则定义为过点并与J垂直的单位面积上的电流。对于电力系统和电子系统的设计而言，电流密度是很重要的。电路的性能与电流量紧密相关，而电流密度又是由导体的物体尺寸决定。例如，随着集成电路的尺寸越变越小，虽然较小的元件需要的电流也较小，为了要达到芯片内含的元件数量密度增高的目标，电流密度会趋向于增高。更详尽细节，请参阅摩尔定律。
dmd芯片尺寸大小 举个例子，DMD 的分辨率为1024x1024，忽略间隙，用平方英寸除以1024*1024就可以计算出每个像素的大小为x，经过2倍放大物镜可以得到尺寸为2x，这样是不是就没有以前清晰了，。
