位错在金属晶体中运动可能会受到哪些阻力 晶格阻力、晶界阻力（晶界阻碍位错运动，即位错塞积机制）、位错之间相互缠结，形成扭折与割阶，另外还有第二相粒子对其阻碍作用，分为不可变形微粒的位错绕过机制以及可变形微粒的位错切割机制。
对于金属： 为什么晶界能比表面能大？ 晶界能和表面能定义具体指什么？都属于金属键吗？ 晶界能：形成单位面积界面系统时，系统的自由能变化时，他等于界面区单位面积的能量减去无界面时该区单位面积的能量。表面能：晶体表面单位面积自由能的增加称为表面能，也可以理解为单位面积新表面所作的功。晶界能的特点：1).晶界处点阵畸变大，存在着晶界能。因此，晶粒的长大和晶界的平直化都能减少晶界面积，从而降低晶界的总能量，这是一个自发过程。然而晶粒的长大和晶界的平直化均需通过原子的扩散来实现，因此，随着温度升高和保温时间的增长，均有利于这两过程的进行。2).晶界处原子排列不规则，因此在常温下晶界的存在会对位错的运动起阻碍作用，致使塑性变形抗力提高，宏观表现为晶界较晶内具有较高的强度和硬度。晶粒愈细，材料的强度愈高，这就是细晶强化；而高温下则相反，因高温下晶界存在一定的粘滞性，易使相邻晶粒产生相对滑动。3).晶界处原子偏离平衡位置，具有较高的动能，并且晶界处存在较多的缺陷如空穴、杂质原子和位错等，故晶界处原子的扩散速度比在晶内快得多。4).在固态相变过程中，由于晶界能量较高且原子活动能力较大，所以新相易于在晶界处优先形核。显然，原始晶粒愈细，晶界愈多，则新相形核率也相应愈高。5).由于成分偏析和内。
晶体中的晶体缺陷有哪些
