直接带隙和间接带隙是怎么回事? 直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中.
直接带隙和间接带隙是怎么回事?
的悖论啊。---书上说:ZnO是直接带隙氧化物半导体,具有宽的带隙(3.3eV)。既然是直接带隙,哪来的宽带隙 直接带隙不是指没有带隙,而是指载流子不容易在能带间跳跃。
直接带隙和间接带隙是怎么回事? 直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中.
直接带隙和间接带隙是怎么回事?
的悖论啊。---书上说:ZnO是直接带隙氧化物半导体,具有宽的带隙(3.3eV)。既然是直接带隙,哪来的宽带隙 直接带隙不是指没有带隙,而是指载流子不容易在能带间跳跃。