理想的氧化层厚度是（） A.80～100μm B.35～50μm C.0.2～2μm 参考答案：C
为什么栅氧化层比较薄
为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容量不同，为什么氧化层厚度越薄的电荷的存储容量越大 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多.
为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序同栅氧化层厚度下极小值处干涉方法(—)和精确解(○)的比较篇名：用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流说明：值.从图7(a)，
金属银放海水中1年，氧化层厚度是多少呢 实践是检验真理的唯一标准
普通氧化，氧化层厚度怎样算？ 氧化层厚度主要取决于热处理炉子的密封性，一般45刚正火或退火，温度不算太高，选择密封好的热处理电炉，氧化层厚度应该在0.1以下。
