“光电器件及其应用”的发展、前景、市场、技术 21世纪前期，半导体2113异质结构和量5261子结构材料仍将是光电功能材4102料研发的主流。以硅材料为主体、化合物半导体材1653料及新一代高温半导体材料共同发展的局面在21世纪将成为集成电路产业发展的主流。低维量子微结构外延材料，如纳米尺寸的量子线和量子点材料等，由于具有常规材料不具有的量子效应，可用于制作功率更高、性能更加优异的纳米器件。GaN、SiG、ZnO和金刚石等高温宽带隙半导体材料以及用这些材料所制备的器件，具有耐高温、抗辐射、抗干扰等优点。这些器件在光电子、微电子及大功率电力电子领域的应用更加广泛。
半导体材料的特性？ 半导2113体材料的特性：半导体材料5261是室温下导电4102性介于导电材料和绝缘材料之间1653的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。扩展资料：。
半导体材料的应用及发展趋势 半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。一、半导体材料主要种类半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。1、元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体，其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态；B、Si、Ge、Te具有半导性；Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低，Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。（半导体材料）2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族：SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。
