纳米材料四大效应 纳米2113材料有五大效应：体积效应；5261表面效应；量子尺寸；量子隧道；介电限域。纳米材料是指在三维空间中至少4102有一维处于纳米尺寸(0.1-100 nm)或由它们作为基本单元构成的材料，这大约相当于10~100个原子紧密排列在一起的尺度。纳米金属材料是20世纪80年代中期研制成功的，后来相继问世的有纳米半导体薄膜、纳米陶瓷、纳米瓷性材料和纳米生物医学材料等。扩展资料：纳米磁性材料：在实际中应用的纳米材料大多数都是人工制造的。纳1653米磁性材料具有十分特别的磁学性质，纳米粒子尺寸小，具有单磁畴结构和矫顽力很高的特性，用它制成的磁记录材料不仅音质、图像和信噪比好，而且记录密度比γ-Fe2O3高几十倍。超顺磁的强磁性纳米颗粒还可制成磁性液体，用于电声器件、阻尼器件、旋转密封及润滑和选矿等领域。参考资料来源：—纳米材料
半导体物理的作品目录 第1章 量子力学初步1.1 量子力学的诞生1.2 物质波1.3 力学量算符与薛定谔方程1.4 定态波函数1.5 波函数的性质1.6 归一化波函数1.7 波函数的统计解释—劳厄(Lauer)衍射公式1.8 求解定态问题的步骤1.9 定态问题实例1.10 测不准原理1.11 电子的自旋1.12 简谐微扰量子跃迁几率1.13 泡利不相容原理第2章 半导体材料的成分与结构2.1 半导体材料的导电能力2.2 半导体的晶体结构2.3 倒格矢2.4 晶体结构的测量2.5 常见半导体的晶体结构第3章 晶体中电子的能带3.1 能级分裂与能带的形成3.2 量子力学处理3.3 能带图的表示方法3.4 晶体中电子的运动3.5 电子的经典近似3.6 外力与波矢的关系3.7 电子的加速度及有效质量3.8 能带填充情况与电流3.9 金属、半导体、绝缘体3.10 空穴3.11 硅、锗和砷化镓的能带特点3.12 半导体材料中的杂质和缺陷能级3.13 化合物半导体中的杂质能级3.14 施主、受主的类氢模型3.15 各种因素对禁带宽度的影响第4章 半导体中的电子统计分布4.1 状态密度4.2 费米一狄拉克分布4.3 本征半导体与非本征半导体4.4 只含一种杂质的半导体4.5 饱和电离区的范围4.6 费米能级与掺杂浓度的关系4.7 简并半导体4.8 杂质补偿。
纤维素纳米晶的制备，透析遇到的问题？ 我在做纤维素纳米晶，研究溶液晾干成膜后具备的光学性质。可我的透析都失败了，得到的产品并不能自组装成…
半导体超晶格有什么基本性质？？哪位牛人可以给我解答 由两种或两种以上组分不同，或导电类型不同的纳米级超薄层(层厚10-1～10nm)材料交替地外延生长在一起所形成的多周期结构，具有这种结构的材料是一类人工改性的新的半导体材料。简史 超晶格的概念是美国国际商用机器(IBM)公司的江崎、朱兆祥在1969年提出的。他们认为，由于超品格的周期远大于原晶体的晶格常数，但又小于电子的德布洛依波长晶体中电子的运动受到超晶格周期势场的扰动，其运动状态会发生很大变化。半导体超晶格具有许多“天然晶体”所没有的新异的物理特性。理论上预计，原晶体的布里渊区会分裂为许多小区，相应的能带也会分裂为许多子能带，在外场作用下，电子易达到小布区边界而会呈现出负阻效应和高频振荡效应(布洛赫振荡)等。1971年美国贝尔(Bell)实验室的卓以和用分子束外延(MBE)方法生长出了第一个GaAs／AlGaAs半导体超晶格材料，1972年美国IBM公司的张立刚观测到分子束外延(MBE)GaAs／Al—GaAs超晶格的负阻效应，证实了理论预计。从此，半导体超晶格的研究引起了人们极大的兴趣和日益广泛的研究。20多年来，研究成的半导体超晶格已达数十种，涉及到Ⅲ-V、Ⅱ-Ⅵ、Ⅳ-Ⅵ族化合物、Ⅳ族元素半导体、非晶态半导体、金属、铁磁体、超导体和有机物等。
光电子信息材料的分类 1.硅微电子材料硅（Si）材料作为当前微电子技术的基础，预计到本世纪中叶都不会改变。从提高硅集成电路ICs性能价格比来看，增大直拉硅单晶的直径，仍是今后硅单晶发展的大趋势。硅ICs工艺由8英寸向12英寸的过渡将完成。预计2016年前后，18英寸的硅片将投入生产。从进一步缩小器件的特征尺寸，提高硅ICs的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的超高纯、大直径和无缺陷硅外延片会成为硅材料发展的主流。2.硅基高效发光材料硅基光电集成一直是人们追求的目标，其中如何提高硅基材料发光效率是关键。经过长期努力，2003年在硅基异质结电注入高效发光和电泵激射方面的研究获得了突破性进展？这使人们看到了硅基光电集成的曙光。3.宽带隙半导体材料第三代，高温、宽带隙半导体材料，主要指的是III族氮化物，碳化硅（SiC），氧化锌（ZnO）和金刚石等，它们不仅是研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件、电路的理想材料，而且III族氮化物和ZnO等还是优异的短波长光电子材料。4.纳米低维半导体材料通常是指除体材料之外的二维超晶格、量子阱材料？一维量子线和零维量子点材料？是自然界不存在的人工设计、制造的新型半导体材料。MBE、MOCVD技术。
物理各个领域的大问题有哪些？
分子束外延法的概况 从硒整流器诞生以来，真空淀积已广泛应用于半导体薄膜器件的制备上。从40年代起，蒸发铅和锡的硫化物薄膜被广泛研究，直到1964年以前还没有实现优质的外延。1964年Schoolar和Zemel用泻流盒产生的分子束在NaCl上外延生长出PbS薄膜。这也许是现代MBE技术的前奏。直到70年代初期真空设备商品化以后，MBE才得到广泛应用。MBE基本上是真空淀积的一种复杂变种，其复杂程度取决于各个研究工作想要达到的目标。因为是真空淀积，MBE的生长主要由分子束和晶体表面的反应动力学所控制，它同液相外延（LPE）和化学汽相淀积（CVD）等其他技术不同，后两者是在接近于热力学平衡条件下进行的。而MBE是在超高真空环境中进行的，如果配备必需的仪器，就能用许多测试技术对外延生长作在位或原位质量评估。分子束外延的重要阶段性成果就是掺杂超晶格和应变层结构的出现。掺杂超晶格是一种周期性掺杂的半导体结构。通过周期性掺杂的方法来调制半导体的能带结构。掺杂超晶格的有效制备方法是掺杂技术，该技术就是定义在一个原子平面上进行掺杂。在衬底材料生长停止的条件下，生长一个单原子层的掺杂剂，这个单原子层的杂质通过高温工艺或分凝便形成一个掺杂区，因而界面非常陡峭，二维电子气的浓度。
请问半导体的发展历程是怎样的？和它的前景？ 更多精彩内容，请登录维库电子通（wiki.dzsc.com） 常见的半导体材料现状及趋势 1、硅材料 从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微。
