IR2110的自举电路是什么作用，不自举可以吗，直接将Vs接地 不行。因为上桥臂的MOS管要饱和导通，必须要在门极与源极间加一个适当的电压。一般约10V左右，才能使MOS管导通时的内阻达到其额定值。此电压高一点其内阻会小一点，但太高则会损坏MOS管。当上桥臂MOS管导通时，其内阻Rds很小，甚至只有1～2mΩ，此时源极的电压基本上等于电源电压，那可能远高于控制驱动回路电压的。造成门极电压不可能高于源极要求的电压，上桥臂MOS管也就不可以很好的导通了。解决的办法是，将上桥臂的驱动电路悬浮起来，Vs接上桥臂MOS管的S极，作为驱动电压的参考点。将自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压（等于控制回路电压减去一个隔离二极管的正向压降约0.6V的电压）来提供对上桥臂的驱动，使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。不用自举电路是不行的。在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的，下桥臂MOS管的漏极D（即上桥臂MOS管的源极S）的电压，可能远高于控制回路的电压，若将Vs接地，不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求，甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110.
MOSFET 自举驱动 是什么意思 MOSFET的驱动电压是要在门极（栅极）和源极间有足够的电压，当一般的电路中，MOSFET的源极接在系统的地上，那么驱动电压只要是相对于系统地的电压就可以用来驱动MOSFET。但是在很多其他情况下，MOSFET的源极并没和系统地接在一起，这就意味着源极的电压可能是变化的。但是要驱动MOSFET，其栅极和源极间电压要求是一定的，因此这时MOSFET的驱动电压就需要和源极一起变化的电压。这个驱动电压就是MOSFET的自举驱动电压。现在这些功能一般都不用分立元件完成了，大部分都用集成电路了，比如IR210X系列的驱动芯片
自举升压电路的原理是这样的？ 自举升压电路的原理：举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压弄出来就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。扩展资料：充电过程在充电过程中，开关闭合(三极管导通)，等效电路如图二，开关(三极管)处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感里储存了一些能量。放电过程：当开关断开(三极管截止)时的等效电路。当开关断开(三极管截止)时，由于电感的电流 保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开，。
请教ir2110驱动改进型半桥电路 自举问题 Hin与Lin是互为反相的逻辑信号，最高电平=逻辑电路的电源值 VDD（9脚）；当Hin为高电平时输出端Ho也为高电平，反之，Ho为低电平；可以连接到单片机上，Hin与Lin要同时连接，记住他们是互为反相的逻辑信号；
自举电路原理？ 自举电路原理及应用 自举电路的工作原理 图1是一个简单的电路，由欧姆定律可知，电阻R上流过电流为I=Va/R，如果我们在图1这个电路的基础上增加一级射极跟随电路，如图2所示。
自举电路的作用？ 悟空问答合作邮箱：wendahz@toutiao.com 悟空问答侵权投诉通道：jubao@toutiao.com 京ICP备12025439号-14 京公网安备11000002002030号 网络文化经营许可证 跟帖评论自律。
请问下MOS高边驱动时一定要加自举电容吗？ 主要看Vgs电压，要是高侧MOS的Vgs电压能满足要求就不需要加自举电路，自举电路只是在单电源供电时，高侧Vgs打不到控制要求而做的，当使用隔离电源控制就不需要自举。
