ir2110自举电容对全桥驱动有什么影响 自举电容内的储能是上臂驱动电压的来源，没有它就不能获得超过Vcc的驱动电压。
IR2110自举电容的选择 自举电容的选择与工作频率、驱动的MOSFET参数、工作电压等因素有关。有关自举电容的设计可参考：http：//download.dianyuan.com/dianyuan.com/bbs/68/2780931217926434.pdf
您能给我讲讲ir2110的自举电容是怎么选择的吗？ 看过您在百度里给的链接，现在已经不能用了，谢谢 自举电容的设计IGBT和PM(POWER MOSFET)具有相似的门极特性，它们在开通时都需要在极短的时间内向门极提供足够的栅电荷。假定在器件开通后，自举电容两端的电压比器件充分导通所需要的电压(10 V，高压侧锁定电压为8.7／8.3 V)要高，而且在自举电容充电路径上有1.5 V的压降(包括VD1的正向压降)，同时假定有1／2的栅电压(栅极门槛电压VTH通常3～5 V)因泄漏电流引起电压降。那么，此时对应的自举电容可用下式表示：例如IRF2807充分导通时所需要的栅电荷Qg为160 nC(可由IRF2807电特性表查得)，Vcc为15V，那么有：这样C1约为0.1 μF，设计中即可选取C1为0.22μF或更大，且耐压大于35 V的独石电容。
MOS管驱动芯片的工作原理？（以IR2110为例） 摘要：简要分析了UC3637双PWM控制器和IR2110的特点，工作原理。由UC3637和IR2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路，并通过实验验证了其可行性。关键词：小信号放大器。
用IR2110全桥驱动MOS管，自举电容为1UF+1UF打独石电容，二极管采用快恢复二极管。管子加上15V的电压；'>；三六零问答空载情况下测量输出的波形，波形如下，可以看到有15V左右。
你好 请教IR2110的有关问题：去掉自举回路，在VS、VB端直接加电源来去驱动mos管，可不可以？ 那不好吧，除了会使电路更复杂，没有一点好处！自举电路在下半桥导通时，电容两端充电电压为驱动电路的电源电压，这个电压作为上桥臂导通的驱动电压，可以把它设计为所要驱动的MOS管饱和导通的最佳值（比如10V)，由于这个电压是以S极为参考点，S极随着Phase电压变化，G极也一起浮动，就是说G-S之间最高电压只能我们设定的电压，既不会超出Vgs容许的最大范围，还让MOS管能够很好的饱和导通。直接加一个固定电压是不能实现的，可能还可能损坏MOS管与驱动电路。而如果用一个与电路隔离独立的电源（电压就是我们前面所说的驱动电压）来代替一个二极管和一个电容很容易就能实现的作用，那有必要吗？
