mos管和三极管相比优缺点？ MOS的导通压降下导通电阻小栅极驱动不需要电流，损耗小驱动电路简单自带保护二极管热阻特性好，适合大功率并联缺点开关速度不高，比较昂贵三极管开关速度高大型三极管的Ic可以做的很大缺点损耗大驱动复杂
三极管与MOS管有什么区别 1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是。
三极管与MOS管的区别 三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：1、BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm；2、BJT线性较差，FET线性较好；3、BJT噪声较大，FET噪声较小；4、BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型所以FET选型和使用都比较复杂；5、BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流；总的看，无论在分立元件电路还是集成电路中，FET替代BJT都是一个大趋势。
MOS管和三极管有什么区别？ 一、2113主体不同1、MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体5261管4102，简称金氧半场效晶体管。2、三极管：半导体三1653极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。二、作用不同1、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。2、三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三、特点不同1、MOS管：MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。2、三极管：是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。参考资料来源：-MOS参考资料来源：-三极管
电源减少噪音是通过什么原理？ 噪音有一定的频率，或者说除了一定频率以外的都是噪音，我们可以用低通滤波器的原理，通用滤杂。
如何测试判断场效应管好坏？ 1、场效应管的检测方法：2113把数5261字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效4102应管的三只引1653脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300-800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300-800左右读数时此管也为好管。4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和 功率晶体管的强大竞争者。与 双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。（1）场效应管是电压控制 。
为什么MOS管开关频率越高电流反越小啊 因为2113mos有降频效果。MOS在导通和截止的时候，一5261定不是在瞬间完成4102的。MOS两端的电压有一个下降的1653过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。这一现象明显说明变压器的初级电感很大，开关变压器的工作频率通常工作在20KHz以上，使用PWM调制控制输出电压，而非频率控制，现代开关技术可以控制实现跳频控制，但实际上并非频率控制。扩展资料：金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层。成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。参考资料来源：-mos管
