帮忙写一篇论文＂半导体制造材料的选择＂一定要有条理，万分感谢 目前全世界硅单晶的产量大约是一万吨，我国每年大约是1000吨。制备硅单晶的原材料是多晶硅，而我国多晶硅的年产量不足100吨，仅占全世界的千分之几。从目前我国硅材料的。
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半导体外延生长有哪些方式？ 外延(Epitaxy，简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(Si/Si)，也可以是异质外延层(SiGe/Si 或SiC/Si等)；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)，常压及减压外延(ATM&RP Epi)等等。本文仅介绍广泛应用于半导体集成电路生产中衬底为硅材料的硅(Si)和锗硅(SiGe)外延工艺。根据生长方法可以将外延工艺分为两大类(表1)：全外延(Blanket Epi)和选择性外延(Selective Epi，简称SEG)。工艺气体中常用三种含硅气体源：硅烷(SiH4)，二氯硅烷(SiH2Cl2，简称DCS)和三氯硅烷(SiHCl3，简称TCS)；某些特殊外延工艺中还要用到含Ge和C的气体锗烷(GeH4)和甲基硅烷(SiH3CH3)；选择性外延工艺中还需要用到刻蚀性气体氯化氢(HCl)，反应中的载气一般选用氢气(H2)。外延选择性的实现一般通过调节外延沉积和原位(in-situ)刻蚀的相对速率大小来实现，所用气体一般为含氯(Cl)的硅源气体DCS，利用反应中Cl原子在硅表面的吸附小于氧化物或者氮化物来实现外延生长的选择性；由于SiH4不含Cl原子而且活化能低，一般仅应用于低温全外延工艺；而另外一种常用硅源TCS蒸气压低，在常温下呈液态，需要通过H2鼓。
超导现象的本质原因是什么？
中国的死光a真的有那么厉害吗？中国的死光a是很厉害。（不仅仅是军用，还包括民用）“死光”又叫激光，用“死光”制造的武器叫激光武器，它是一种常规威慑力量。。
据说大型芯片有几十亿个晶体管，一个都容不得出错，但为何芯片可靠性还这么高？ 许多了解芯片结构的朋友可能都思考过这样一个问题，大型或者高精度芯片的内部有几十亿个晶体管，而且精度控制在几纳米的范围内，比如华为麒麟990 5G处理器，不到一个指甲盖大小的空间里封装了103亿个晶体管。那么 芯片是如何保证其持续且高效地运行的呢？其实题目中的疑问可以分成两个问题，一是芯片中的几十亿个晶体管是否一个都不能出错？二是芯片如何保持高的可靠性？芯片中的晶体管是否一个都不能出错？要想了解这个问题，首先我们要了解芯片的制作过程，芯片的制作过程主要分为三个过程：1.首先是晶圆的制作，我们需要将石英砂制成高纯度的单晶硅圆柱体，之后将其切片打磨，制成我们需要的晶圆片；2.接着是进行光刻，掩膜，机械，化学处理等过程，著名的荷兰阿斯麦（ASML）光刻机就是靠这个加工过程赚取丰厚利润的；3.最后是焊接和管脚处理，塑装，切割，测试等，每一步都需要精细处理，才能制成合格的芯片。在简单了解了芯片的生产制作过程后，大家应该都了解芯片生产的困难了吧？考虑到芯片原材料的材质，环境状况，人为影响以及设备影响，芯片的制作过程总会出现纰漏，做不到完完全全和设计初衷一模一样。所以在首先在设计之初，芯片会设计一些多余的晶体管，也就是。
半导体中的STI是什么意思 shallow trench isolation 浅沟道隔离 特点：能实现高密度的隔离，适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。一般在器件制作之前进行，热预算小。STI技术工艺步骤：首先。
谈谈对纳米材料和纳米技术的认识？求解释 我是学生。老师布置的作业，找不到答案，求帮助。(一)纳米材料简介 从尺寸大小来说，通常产生物理化学性质显著变化的细小微粒的尺寸。
金刚石刀具加工方法求给说说 金刚石*具具有极高的硬度和耐磨性、低摩擦系数、高弹性模量、高热导、低热膨胀系数，以及与非铁金属亲和力小等优点。可以用于非金属硬脆材料如石墨、高耐磨材料、复合材料。
怎样制备石墨 目前以石墨为原料制备石墨烯的方法主要有微机械剥离法、SiC热解外延生长法、化学气相沉积法、化学氧化还原法等。1.3.1.1微机械剥离法 微机械剥离法是最初用于获得石墨烯片。
