直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙指的是半导体的导2113带最小值与价带最大值对5261应k空间4102中同一位置，价带电子跃1653迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。两者的区别是：直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的，而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉，从能量利用的角度上来说，直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有直接带隙半导体材料的这种只需要吸收能量的特点，它是这种跃迁类型是由它这种材料本身决定的。样品的直接带隙和间接带隙是轨道理论判断的。扩展资料直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变—满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带(即电子与空穴复合)时，也可以保持动量不变—直接复合，即电子与空穴只要一相遇。
禁带宽度与温度的关系？ 禁带宽度与温度有什么关系？如何定性解释？禁带宽度与温度有什么关系？如何定性解释？不考虑相变的话温度的作用仅仅在于改变原子间距离。温度越高，原子距离越大，周期势场。
为什么带隙窄的半导体高温性能不好 对于带隙比较窄的半导体材料，如果温度过高，载流子浓度变大进而影响半导体的性能。
为什么带隙窄的半导体高温性能不好
eg禁带是什么意思 (1)半导体能带结构中，导带最低点与价带最高点之间的能量差称为禁带宽度，以Eg表示(单位为电子伏特ev).若禁带宽度Eg，则称为窄禁带半导体，如锗(Ge)，硅(Si)，砷化镓(GaAs)，磷化。
禁带宽度变窄效应与莫斯-布尔斯坦效应区别？
可见光催化剂的选择是带隙大好还是带隙小比较好 半导体光催化活性与带隙宽度有一定关系，但是不是成正比。有些光催化剂是通过掺杂而增大带隙，也有的是通过掺杂而使带隙变。
