请问半导体的发展历程是怎样的？和它的前景？ 更多精彩内容，请登录维库电子通（wiki.dzsc.com） 常见的半导体材料现状及趋势 1、硅材料 从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微。
采用双异质结的光电子器件具有哪些显著的优点 介绍了异质结的基本概念和基础理论，系统论述了光电子器件的工作原理和模型、异质结构材料及制备工艺方法。全书共14章，内容包括：异质结基本概念、异质结电学特性、异质结能带图、异质结光电特性、异质结制备、位错与弹性应变、宽带隙半导体材料、异质结激光器、超晶格与多量子阱、半导体发光二极管、半导体光检测器、Ⅳ族元素合金应变异质结、半导体太阳能电池和梯度带隙半导体。
量子阱材料与超晶格的区别和联系是什么？ 前者一般一重结构，后者要多重，且每重较薄
关于半导体超晶格有谁知道半导体超晶格领域从1999到2006年有什么比较大的发展或成果？谢谢大家了！因为我在做这方面的一篇文章，缺乏这段时间的信息，希望大家能够？
超晶格量子效应是？ 1969年，著名的物理学家江崎与其合作者朱兆祥首次提出了半导体超晶格的新概念，并于1970年首次在砷化镓半导体上制成了超晶格结构，由此揭开了超晶格、量子阱、量子线和量子点微结构等一类低维材料研究的序幕.迄今为止，这一领域的研究已经取得了令世人瞩目的重大进展，在半导体科学技术发展史上写下了光辉灿烂的一页，留下了浓墨重彩的一笔.尤其值得一提的是，美籍华裔科学家崔琦和德国科学家霍斯特·施特默2人，因于1982年发现了具有高电子迁移率的GaAs/AlAs超晶格材料的调制掺杂异质结中的电子，会在超低温和强磁场条件下形成具有某种特异性的量子流体，并在1年之后，由美国科学家罗伯特·劳克林对这一重大发现作出了理论解释，而共同获得了1998年的诺贝尔物理学奖.此后不久，高电子迁移率晶体管(HEMT)就被设计并制作出来了.目前，这种器件已经发展到由多种异质结构材料和各种结构形式制备的具有各种逻辑功能的HEMT大规模集成电路，并初步用于现代通信和计算机系统.这一事实充分显示了半导体超晶格材料在半导体科学技术中所占据的显赫地位。
超晶格、 半导体材料但当材料的特征尺寸在一个维度上比电子的平均自由程相比更小的时候，电子在这个方向上的运动会受到限制，电子的能量不再是连续的，而是量子化的，我们称这种材料。
关于量子阱和超晶格 量子阱和超晶格有什么关系吗？量子阱是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。量子肼的最基本特征是，由于。
半导体超晶格有什么基本性质？？哪位牛人可以给我解答 由两种或两种以上组分不同，或导电类型不同的纳米级超薄层(层厚10-1～10nm)材料交替地外延生长在一起所形成的多周期结构，具有这种结构的材料是一类人工改性的新的半导体材料。简史 超晶格的概念是美国国际商用机器(IBM)公司的江崎、朱兆祥在1969年提出的。他们认为，由于超品格的周期远大于原晶体的晶格常数，但又小于电子的德布洛依波长晶体中电子的运动受到超晶格周期势场的扰动，其运动状态会发生很大变化。半导体超晶格具有许多“天然晶体”所没有的新异的物理特性。理论上预计，原晶体的布里渊区会分裂为许多小区，相应的能带也会分裂为许多子能带，在外场作用下，电子易达到小布区边界而会呈现出负阻效应和高频振荡效应(布洛赫振荡)等。1971年美国贝尔(Bell)实验室的卓以和用分子束外延(MBE)方法生长出了第一个GaAs／AlGaAs半导体超晶格材料，1972年美国IBM公司的张立刚观测到分子束外延(MBE)GaAs／Al—GaAs超晶格的负阻效应，证实了理论预计。从此，半导体超晶格的研究引起了人们极大的兴趣和日益广泛的研究。20多年来，研究成的半导体超晶格已达数十种，涉及到Ⅲ-V、Ⅱ-Ⅵ、Ⅳ-Ⅵ族化合物、Ⅳ族元素半导体、非晶态半导体、金属、铁磁体、超导体和有机物等。
超晶格的半导体特性 如果超晶格是由两种具有不同带隙的半导体材料构成，每个量子阱都会形成新的选择定则影响电荷在此结构中的运动。这两种半导体材料是交替的以一定的周期沿着特定的生长方向来沉积的。自从1970年江崎和朱兆祥提出这种合成超晶格的方法以来，这种超细半导体的物理机制的研究已经取得了大量的成果。在量子限域（quantum confinement）概念提出以后，人们已经从孤立的量子阱异质结中观察到了量子效应，这些都通过遂穿现象和超晶格紧密的联系在了一起。所以这两种物理概念都是在同样的物理基础上进行讨论的，但是在电子学和光学设备上有着不同的应用。
多量子阱与超晶格的区别与联系是什么 都是两种或以上的半导体材料交替生长出的周期性薄层的微结构材料，我的理解，不同的在于，多量子阱由于量子限域效应，即当其一维多量子阱薄层线度与电子的德布罗意波长可比拟时，电子态呈量子化，连续的能带变为分立的能级，形成驻波形式的波函数，且势垒足够厚，可近似认为相邻量子阱中的波函数无耦合.而超晶格 势垒层很薄，势阱之间耦合强烈，人称耦合多量子阱.此时多量子阱的各分立能级延展为能带.叫做超晶格，是因为其周期化薄层线度远大于晶格常数.但通常为几nm、几十nm，与电子平均自由程（德布罗意波长）可比拟。
