离子的电子层结构如何影响晶格能？求详解
一般地，晶体类型不同，其结构和性质也不同． （1）①从共熔物冷却时，首先析出的为熔点高的氧化物，而离子晶体中晶格能越大，熔点越高，所以先首先析出的是MgO，故答案为：MgO；②Ca2+、Sr2+为同主族元素的离子，从上到下，离子半径逐渐增大，离子键越弱，对应氧化物的晶格能越小，所以SrCO3比CaCO3易分解，故答案为：高于；（2）①NH3？H2O在晶体中以分子的形式存在，属于分子晶体，故答案为：分子晶体；②NH3极易溶于水，是因为NH3能与水分子形成氢键，故答案为：NH3与H2O形成分子间氢键；（3）①CaF2晶体中与钙离子距离最近的氟离子有8个，所以其配位数为8，故答案为：8；②根据晶胞中微粒数目求算方法，钙离子位于晶胞的8个顶点和6个面上，18×8+16×2=4；故答案为：4．
元素Bi属于什么空间群，是什么晶体结构（最好能具体点儿）以及晶格结构？对于您的支持万分感谢！ 晶体结构：三斜晶系，属于R3-m空间群。晶胞参数如下：a=667.4 pmb=611.7 pmc=330.4 pmα=90°β=110.33°γ=90°
金属的常见晶格类型有哪几种？他们的晶体结构有哪些差异 常见金属的晶格类型金属原子之间具有很强的结合力，所以金属晶体中的原子都趋向于紧密排列。但不同的金属具有不同的晶体结构，大多数金属的晶体结构都比较简单，其中常见的有以下三种：(1)体心立方晶格(bcc)体心立方晶格的晶胞是一个立方体，如图2-2-4。其晶格常数：a＝b＝c，α=β=γ=90。在立方体的八个角上和立方体的中心各有一个原子。每个晶胞中实际含有的原子数为1+8×1/8＝2个。每个原子的最近邻原子数为8，所以其配位数为8。致密度0.68。具有体心立方晶格的金属有铬(Cr)、钨(w)、钼(Mo)、钒(V)、α铁(α—Fe)等。(2)面心立方晶格(fcc)面心立方晶格的晶胞也是一个立方体，金属原子分布在立方晶胞的八个角上和六个面的中心，如图2-2-5所示。其晶格常数：a=b＝c，每个晶胞中实际含有的原子数为(1/8)×8+6×(1/2)＝4个。配位数为12；致密度为0.74。具有面心立方晶格的金属有铝(Al）、铜(Cu）、镍(Ni)、金(Au)、银(Ag)、γ铁(γ—Fe)等。3)密排六方(hcp)密排六方晶格的晶胞是个正六方柱体，它是由六个呈长方形的侧面和两个呈正六边形的底面所组成如图2-26所示。金属原子分布在六方晶胞的十二个角上以及上下两底面的中心和两底面之间的三个均匀分布的间隙里。。
关于离子的晶格能 LZ.第一，LS的解释其实是正解.在解释溶解度大小的时候，必须同时考虑晶格能和各生成离子的水和能.因为晶格能指的是当气态的离子形成（固态）离子晶体时释放出的能量，而溶解度描述的是（固态）晶体在水分子的作用下，形成水合离子（而非气态离子）的程度.第二，不能笼统的用晶格能的大小来衡量离子键的强弱.只有当所考虑的离子化合物都属于同样的晶体结构（lattice）时，这种比较才“有些意义”（但也不能绝对）.在这里，AgCl 和 AgBr 都属于NaCl 晶体结构（还有 AgF），而 AgI 则不然，属于红锌矿-ZnO-结构.所以应该只对AgCl 和 AgBr 进行比较.第三，要说经典，这其实正是水合能在溶解过程中的重要性的一个经典.Cl-的水和能要远远大于Br-的水和能（F-离子的水和能更大），尽管AgCl的晶格能要比AgBr大.
硅、锗和砷化镓能带结构特点 si ge 是间接带隙 GaAs是直接带隙
半导体超晶格有哪些类型，及其能带结构的特点 超晶格材料按形成它的异质结类型分为第一类、第二类和第三类超晶格。第一二三类超晶格第一类超晶格的导带和价带由同一层的半导体材料形成。第二类超晶格的导带和价带在不同层中形成，因此电子和空穴被束缚在不同半zd导体材料层中。第三类超晶格涉及半金属材料。尽管导带底和价带顶在相同的半导体层中产生，与第一类超晶格相似，但其带隙可从半导体到零带隙到半金属负带隙之间连续调整。[1]超晶格又分以下几种1.组分超晶格：在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄内膜堆垛而成的 叫做组分超晶格2.掺杂超晶格：在同一种半导体中，用交替地改变掺杂类型的方法做成的新型人造周期性半导体结构的材料掺杂超晶格的优点：任何一种半导体材料只要很好控制掺杂类型都可以做成超晶格；多层结构的完整性非常好，由于掺杂量一般比较小，杂质引起的晶格畸变也较小，掺杂超晶格中没有像组分超晶格那样明显的异质界面；掺杂超晶格的有效能量隙可以具有从零到容位调制的基体材料能量隙之间的任何值，取决于各分层厚度和掺杂浓度的选择。3.多维超晶格4.应变超晶格
