为什么PMOS的阈值电压比NMOS要大
为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容量不同，为什么氧化层厚度越薄的电荷的存储容量越大 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多.
为什么栅氧化层比较薄
如何测量mos结构中氧化层中的固定电荷和可动电荷 电荷层是指p型与n型半导体接触或金属与半导体接触后形成“结”的过程中在接触面两侧分别构成的正、负电荷空间薄层。空间电荷效应：半导体中的空间电荷及其相应的空间电荷效应是一个重要的基本概念。在半导体材料和器件中往往会遇到有关的问题，特别是在大电流时空间电荷可能起着决定性的作用。
MOS管栅极电荷泻放较慢说明什么问题麻烦告诉我
什么是电荷层
为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多。
mos与金半接触，为什么要加氧化层？ MOS管的结构基础是MIS结构，这里面的“I”是绝缘体的意思。而且，mos管是栅压控制电流的思路。
CCD工作原理的电荷的存储 构成CCD的基本单元是MOS（金属-氧化物-半导体）结构 如图I（a）所示，在栅极G施加正偏压UO之前，P型半导体中空穴（多数载流子）分布是均匀的。当栅极施加正偏压UG（此时UG。
