给出位错运动的点阵主力与晶体结构的关系式，说明为什么晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向. 您想问位错运动的点阵阻力与晶体结构的表达式？派纳力公式如下：a代表滑移面间距，b为位错柏氏矢量长度，μ为泊松比.派纳力决定于晶体滑移面和滑移方向，对于同种晶体，滑移面间距a增大则派纳力减小，a减小则派纳力增大，所以晶体的滑移面应该是滑移面间距a最大的面（此时阻力最小），即为最密排面；原子最密排方向上两个平衡原子间距离最小，滑移所需的能量最低，所以晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向.—老师刚留了类似的问题，顺手回答一下，希望能够帮到您.
若面心立方系晶体（铜)中开动的滑移系为（111)[101]， ①若滑移是由刃位错运动引起的，给出位错线的方向； ②若 设位错线方向为[uvw]。nbsp；nbsp；①因刃位错线与其柏氏矢量垂直，同时也与滑移面法线垂直，即 ；nbsp；[uvw]=[111]×[101]=[121] ；nbsp；②因螺位错与其柏氏矢量平行。
如何才能让高度酒变低度酒 拓扑学中的一种规律吧(或者说是BUG)下面这段可以参考下.[引用某位学者的论文]首先，利用规范势可分解和具有内部结构的观点，通过U(1)和SO(2)规范势的分解以及挠率的存在，得到了Riemann-Cartan流形当中一个新的拓扑不变量。利用这个拓扑不变量，研究了早期宇宙中的时空缺陷，指出在Riemann-Cartan时空当中，时空结构本身就是量子化的，存在一个最小长度（Planck长度）和最短时间（Planck时间）。其次，发展了一套拓扑流分歧理论。利用拓扑流及其分歧理论，研究了Gauaa-Bonnet-Chern定理、磁单极、固体位错和旋错以及液晶中向错线和向错点等各种拓扑缺陷的拓扑结构和分歧理论，指出Euler示性数在切矢量场、磁单极在Higgs场、固体位错和旋错在切应力场、以及液晶向错线和向错点在指向矢场的零点处是拓扑量子化的，拓扑量子数由各自的场在零点处的Hopf指数和Brouwer度给出，同时指出了上述各种研究对象在各自的场的极限点、一阶和二阶退化点的产生、湮灭和分歧的条件、运动方向以及程度大小。第三，将拓扑流推广到了拓扑张量流，得到了产生k维拓扑缺陷和横截子流形的理论。利用这个理论，研究了横截子流形和整体流形之间的几何和拓扑关系，指出当两个横截子流形的切矢量不互相。
什么是吕德斯带，怎么形成的？ 这是金属学上的概念。所谓吕德斯带是指退火的低碳钢薄板在冲压加工时，由于局部的突然屈服产生不均匀变形，而在钢板表面产生条带状皱褶的一种现象。对冲压件来说，吕德斯带。
简述刃型位错与螺型位错，并比较两者有何异同 1、刃位错：一2113个刃位错附近的晶面排列情况5261，图中黑线代表伯格斯矢量4102方向，蓝线为位错线。刃位错附1653近的原子排列情况，沿平行于位错线方向观察若一个晶面在晶体内部突然终止于某一条线处，则称这种不规则排列为一个刃位错。2、螺型位错（screw dislocation）又称螺旋位错（Burgers dislocation）。一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距。在中央轴线处即为一螺型位错。刃位错与螺位错存在着很多区别，它们主要的不同点是：1、刃型位错具有一个额外的半原子面，而螺型位错无；2、刃型位错必须与滑移方向垂直，也垂直与滑移矢量；而螺型位错线与滑移矢量平行，且位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直。3、刃型位错的滑移线不一定是直线，可以是折线或曲线；而螺位错的滑移线一定是直线。4、刃位错的滑移面只有一个，其不能在其他面上进行滑移；而螺位错的滑移面不是唯一的。5、刃位错周围的点阵发生弹性畸变，既有切应变，又有正应变，螺位错只有切应变而无正应变扩展资料刃位错特点1、刃型位错有一个额外的半原子面。一般把多出的半原子面在滑移面上边的称为正刃型。
位错的形成、运动和增殖有哪些？ 位错的形成 晶体内部位错的发育主要有两种重要的来源，即原生位错和应力感生位错。原生位错是晶体内部固有的，或者说是在晶体结晶时已经形成的位错。晶体内原生位错的大小与密度取决于晶体生长的速度和晶体生长时介质的性质。应力感生位错是晶体遭受应力作用时由于晶格结构的调整而形成的位错。变形晶体所受差应力值大小对于应力感生位错的密度有着重要影响。在一定的变形温度和压力条件下，差应力越大时，产生的应力感生位错密度越大，而较高的温度经常使得应力感生位错重新组织和消失而导致位错密度降低。位错的运动 位错是晶体内部的缺陷，也是晶体内部的不平衡部位。Meike（1990）研究证明孤立的自由位错具有最大的自由能。在外部应力的持续作用下，或者随着温度的升高，晶体内部位错随着自由能增加而发生运动，并组织起来形成各种不同的位错亚构造。位错运动是位错增殖和形成各种位错亚构造并导致晶体变形的主要途径，其运动与组织的总体趋势是使得晶体内能降低。位错的运动有两种主要方式，即位错滑移与位错攀移。位错滑移（dislocation glide）在剪应力作用下，原子发生位错是在包含其伯格斯矢量的平面上运动，位错在晶体内沿滑移面不运动称为位错滑移。由。
