请问一个IRFP2907的场效应管有多少瓦，电压和电流各是多少，谢谢。未解决问题 等待您来回答 奇虎360旗下最大互动问答社区
请问一个IRFP2907的场效应管有多少瓦，电压和电流各是多少，谢谢。 【用途 应用】功率场效应管【性能 参数】N沟 75V 209A 470W RDS(on)=4.5mΩ 带阻尼使用IRFP3206，MOS管大电流60V/200A，代替IRFP2907工作很好。
IRFP2907控制极电压电流是多少啊 栅极开启阈值电压2-4V，静态下不需要电流，但在开关过程中需要大电流为栅极电容供应电荷，IRFP2907栅极输入电容高达13000pF，需要的瞬态驱动电流可能高达3-5A。
普通逆变器更换2907场管会增强电压吗？ 更换逆变器中的场效应管不会增加电压，应为场效应管仅是被控制元件，不是升压储能元件，不参与电压高低调节。
场效应管的开启电压为多少 场效应2113管的开启电压VTN一般约为+2V。5261场效应管：场效应晶体管（4102Field Effect Transistor缩写1653(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。工作原理：场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味。
N沟道场效应管控制极启动电压多少伏，栅极加1V电压能导通不？ 1V能导通？你怎么想出来的？一般来说，常用的NMOS（也就是N沟道增强型MOS管）导通电压在2-4V之间，最少也要2V。但要提醒你：这个电压下，MOS管的工作状态不太好，要它完全导通，最好在10V左右。
