主板电源场效应管烧坏的原因 造成损坏的原因可能有几个：1、缺少保护电路。一般来说电路中应适当设置保护电路，以吸收电路中的瞬间高压、浪涌电压，保护关键元件。2、参数选取不合理，没有余地。效应管的耐压、电流都应该流有一定的余地，以保证正常使用。如果参数选取过于保守，基本相当于工作在超负荷下，时间长了则容易损坏。3、元件没有经过认真筛选、老化，或者根本就没有选用高质量的元件，在使用当中损坏的几率当然很大。4、偶然的结果。主板本身有一定的损坏几率，就看这个几率叫谁碰上。
如何测试判断场效应管好坏？ 1、场效应管的检测方法：2113把数5261字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效4102应管的三只引1653脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300-800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300-800左右读数时此管也为好管。4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和 功率晶体管的强大竞争者。与 双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。（1）场效应管是电压控制 。
这个电路图中三极管与场效应管具体是怎么工作的？ 最左端给个方波信号。问题已关闭。原因：代为完成的个人任务。提问需要满足：其他人可能遇到相似问题，或问题的解决方法对其他人有所助益。如果通过其他方式解决遇到困难，。
如何做 一个场效应管放大电路！ 如图所试：这是一个用3DJ6结型场2113效应管制作的单5261管放大器，其中电路元件4102参数：C1=0.1微法（无极性电容1653），C2=10微法50伏电解电容，接D级一端为正极。CS=4.7微法50伏电解电容，接地端为负极。RG=2兆欧姆，RD=100K欧姆，RS=47K欧姆，RL=20-30K欧姆，电源电压ED=20伏静态工作点：因为UGS=-IDRS，所以在转移特性曲线上，源极负载线是通过原点，斜率为tga=-1/RS的一条直线。源极负载线与转移特性的交点Q就是场效应管的静态工作点。Q点参数：ID=0.05毫安，UGS=-0.25伏。电压放大倍数AU=-Rl`*gm3DJ6的gm=1豪伏/伏，RL`=RD/RL=20KAv=-1*20=20倍。
怎样检测场效应管的好坏？ 怎样检测场效应管的好坏，场效应管一般用数字万用表的二极管挡检测，应该按照下面的步骤进行。
场效应管在主板上的作用是什么？怎么测量它的好坏？如果场效应管坏了会有什么故障？ 简单点告之！谢谢 作用1.场效2113应管可应用于放大。5261由于场效应管放大器的输4102入阻抗很高，因此耦合电容可以容量1653较小，不必使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3.场效应管可以用作可变电阻。4.场效应管可以方便地用作恒流源。5.场效应管可以用作电子开关。方法主板的场效应管，先拆下来用数字表检测，红笔接在中间那只脚，黑笔触左边那只，大概400多到800多都是正常的。要注意，右边那只脚，轻轻的碰一下马上就测左边那只，瞬间的电压会让那只脚的阻值归零！这样子就是好的了！故障场效应管，一般为CPU供电电路中的，场效应管分Q1和Q2，不管是肉眼能看到烧坏还是无外伤的软击穿，会造成的问题基本为，12V短路，CPU没电压这两种情况。
10N60场效应管的管脚场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
我用场效应管4n60作开关电路，电源是5V的，可为什么实际到负载上就3.8V mos管VDS上有1.2V的降压，VDS上压降是肯定有的，但不可能这么大。可能是mosfet驱动电压vgs小了，查下管子资料，加大VGS试试看。
场效应管损坏是怎么烧坏的？ 1栅源电压高出极限值2带有感性负载的反向电动势击穿3栅源极结电容的电阻损坏4超负荷5漏源极电压高出极限值目前只能想起这么多了
场效应管4n60可以用6n60或是8n60代换吗
