半导体超晶格有哪些类型，及其能带结构的特点
什么叫铁素体，奥氏体，珠光体，渗碳体，莱氏体？它们的性能有何不同？
拉曼光谱仪的基本原理是啥？ 一、基本原理 当一束频率为v0的单色光照射到样品上后，分子可以使入射光发生散射。大部分光只是改变方向发生散射，而光的频率仍与激发光的频率相同，这种散射称为瑞利散射。
mbe的国外概况 从硒整流器诞生以来，真空淀积已广泛应用于半导体薄膜器件的制备上。从40年代起，蒸发铅和锡的硫化物薄膜被广泛研究，直到1964年以前还没有实现优质的外延。1964年Schoolar和Zemel用泻流盒产生的分子束在NaCl上外延生长出PbS薄膜。这也许是现代MBE技术的前奏。直到70年代初期真空设备商品化以后，MBE才得到广泛应用。MBE基本上是真空淀积的一种复杂变种，其复杂程度取决于各个研究工作想要达到的目标。因为是真空淀积，MBE的生长主要由分子束和晶体表面的反应动力学所控制，它同液相外延（LPE）和化学汽相淀积（CVD）等其他技术不同，后两者是在接近于热力学平衡条件下进行的。而MBE是在超高真空环境中进行的，如果配备必需的仪器，就能用许多测试技术对外延生长作在位或原位质量评估。分子束外延的重要阶段性成果就是掺杂超晶格和应变层结构的出现。掺杂超晶格是一种周期性掺杂的半导体结构。通过周期性掺杂的方法来调制半导体的能带结构。掺杂超晶格的有效制备方法是掺杂技术，该技术就是定义在一个原子平面上进行掺杂。在衬底材料生长停止的条件下，生长一个单原子层的掺杂剂，这个单原子层的杂质通过高温工艺或分凝便形成一个掺杂区，因而界面非常陡峭，二维电子。
镁铝合金在超塑性变形过程中具有什么样的力学性能 镁合金超塑性一般以微晶组织超塑性为主流研究方向，；尽管镁合金超塑性受到广泛关注，但目前基于超塑性的；。
请问半导体的发展历程是怎样的？和它的前景？ 更多精彩内容，请登录维库电子通（wiki.dzsc.com） 常见的半导体材料现状及趋势 1、硅材料 从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微。
郑有炓的学术贡献 郑有炓长期致力于半导体异质结构材料、器件及物理研究，在III 族氮化物异质结构、锗硅异质结构、和硅基纳米结构材料及其器件应用的研究上，取得系列创新成果，跻身于国际前列。郑有炓总结当时半导体所用的新技术，发展了锗硅异质结构材料光辐射加热超低压CVD生长方法，自己设计、利用南京工厂的加工条件，研制出一套计算机控制的生长设备，制备出优质锗硅异质结构材料。他紧抓住半导体科学技术发展的前沿热点，结合承担的国家863计划、攀登计划、973项目及国家自然科学基金等科研任务。带领研究生组开展一系列研究，在锗硅、Ⅲ族氮化物和氧化锌宽带隙半导体研究领域里，支撑起一片属于南大、属于中国的天地。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的新方法、新技术，从极化能带级带工程出发，创新发展了多种新器件；提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系；发现锗硅合金应变诱导有序化新结构，提出新模型；揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质；观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律，开拓Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ族异质体系二维电子气研究领域；提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅。
糜棱岩类型及其特征 糜棱岩最初（Lapworth，1885）用于描述苏格兰高地莫因断层中细粒薄纹层岩石，认为是一种细粒的具强烈叶理化的岩石，是在脆性破碎和研磨作用下形成的，不伴有组分的重结晶作用。后来Christie（1960）发现了莫因断层中的糜棱岩普遍发育重结晶现象，但却没有打破糜棱岩为脆性变形产物的观点，认为是后构造重结晶所致。直到20世纪70年代，人们对糜棱岩的显微构造、组构等特征及成因机制等才有了新的认识。到1981年在美国加州召开的糜棱状岩石和成因Panrose国际会议，对糜棱岩的显微构造、变形机制、形成条件及命名原则等广泛地进行了讨论，提出糜棱岩的三个基本特征是：粒度减小、出现在较窄小的带内和具增强叶理和线理构造。所以，糜棱岩的概念应当应用于具有上述三种特征，且具有塑性变形，很少或没有显微破裂作用的岩石。（一）糜棱岩显微构造的影响因素糜棱岩形成于地壳中浅部构造层次上，相当于低—中绿片岩相到低角闪岩相的构造环境下，由非均匀变形而产生的一种变质构造岩。它的组构特征能反映其形成环境。糜棱岩一般比较高级变质条件下形成的构造片麻岩具有更为发育的位错成因的晶内变形组构和脆性构造，因此，糜棱岩的研究有助于了解脆-韧性转换带的特征。。
