二次电子和背散射电子能量 SEM二次电子成像和背散射电子成像

二次电子像和背散射电子像在显示表面形貌衬度时有何相同与不同之处 二次电子主要显示形貌衬度，背散射同时还可以表现成分衬度，但形貌衬度表现的不如二次电子.背向电子源的不能被接收，所以分辨能力稍差SEM二次电子成像和背散射电子成像 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：柏华玉扫描电镜二次电子及背散射电子成像技术扫描电镜成像主要是利用样品表面的微区特征，如形貌、原子序数、化学成分、晶体结构或位向等差异，在电子束作用下产生不同强度的物理信号，使阴极射线管荧光屏上不同的区域呈现出不同的亮度，从而获得具有一定衬度的图像，常用的包括主要由二次电子(SE，secondary electron)信号所形成的形貌衬度像和由背散射电子(BSE，backscattered electron)信号所形成的原子序数衬度像。1.二次电子(SE)像—形貌衬度二次电子是被入射电子轰击出的原子的核外电子，其主要特点是：(1)能量小于 50eV，在固体样品中的平均自由程只有10～100nm，在这样浅的表层里，入射电子与样品原子只发出有限次数的散射，因此基本上未向侧向扩散；(2)二次电子的产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角a，a大的面发射的二次电子多，反之则少。根据上述特点，二次电子像主要是反映样品表面10 nm左右的形貌特征，像的衬度是形貌衬度，衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。如果样品表面光滑平整（无形貌特征），则不形成衬度；而对于表面有一定形貌的样品，其形貌可看成由许多不同倾斜程度的面。背散射电子能获得与二次电子同级别分辨率的图像吗？ 应该不可以吧，两种电子的能量不同，导致两种电子的波长不同，这是决定分辨率的一个因素，另外估计背散射的电子束的平行度应该也要差一些，这也会降低分辨率。以上只是个人主观认为的，实际的我也不清楚，没拍过。二次电子像的衬度和背散射电子像的衬度有何特点 仅供参考背散射电子像zd的衬度要比二次电子像的衬度大，二次电子一般用于形貌分析，背散射电子一般用于区别不同的相。二次电子像：1）凸出的尖棱，小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多，在荧光屏上这部分的亮度较大。2）平面上的二次电子产额较小，亮度较低。3）在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子，使其不易被控制到，因此相应衬度专也较暗。背散射电子像：1）用背散射电子进行形貌分析时，其分辨率远比二次电子像低。2）背散射电子能量高，以直线轨迹逸出样品表面，对于背向检测器的样品表面，因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影，因此，其图象衬度很强，衬度太大会失去细节的层次，不利于分析。因此，背散射电子形貌分析效果远不属及二次电子，故一般不用背散射电子信号。扫描电镜中二次电子的能量级<50ev，背散射电子的能量级>50ev，请问，50ev具体含义是什么？ eV是电子伏特的英文缩写，1eV=1.6E-19J，代表一个电子（所带电量e=-1.6*10^(-19)C）在经过1个伏特（volt）的电场加速后所获得的动能。你说这2个都是从能量角度描述的。前一个是电子的能量不能太小，否则扫描不到东西，后一个是被测量电子能量不能太小，小于133就测不到

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