IGBT导通条件和关断条件各自要满足哪些因素？ IGBT是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE(th)时，IGBT就可以导通；当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，。
IGBT的导通和截止的条件是什么？ 低电位触发G IGBT 的C和E 导通，后短接G和E IGBT 就截止了
场效应管如何给电平，才能导通或者截止，P沟道，N沟道两种。 看电路图的箭头是指向哪里，2113箭头方向相反的电流5261就是导通，4102方向相同就是截止。P沟道的源极S接输1653入，漏极D导通输出，N沟道相反。导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。场效应管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于场效应管是电压控制元件，所以主要由栅源电压UGS决定其工作状态。场效应管按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的N沟道，其次是增强型的P沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。扩展资料：N沟道结型场效应管的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。P沟道结型场效应管的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VcC时的情况(高端驱动)。但是，虽然P沟道结型场效应管可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用N沟道结型场效应管。参考资料：-场效应管
场效应管如何实现导通与截止？ 在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导
晶闸管导通和关断的条件是什么？如何实现晶闸管的关断？ 晶闸管导通条件：门极2113G加触发信号5261，主端子A、K之间加正向电压，且使得主端4102子间的正向电流大于擎住电1653流。关断的条件：使主端子间的正向电流小于维持电流。晶闸管关断的实现：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压；也可以利用储能电路强迫关断。晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。扩展资料：晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。晶闸管为半控型电力电子器件，它的工作条件如下：1、晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。2、晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管的闸流特性，即可控特性。3、晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，。
双向可控硅如何控制交流电的导通和关闭？求详解
请问通过下面的拨动开关，是否可以控制Q29三极管的导通和关闭，最好解释下，见下图，谢谢。
P型MOS管的导通条件是什么？ P型MOS管的导通条件：靠在5261G极上加一个触发电压4102，使N极与D极导通。对N沟道1653G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V。如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V，mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。
怎么用单片机的IO口控制开关三极管的导通和关闭
