四氟化碳 与硅和二氧化硅的反应有毒吗，对人体有医学吗，等离子刻蚀机的辐射大吗 单质氟对人体肯定是有害的，就如冰箱使用不含氟利昂的，至于你的工作环境，保持空气流通会好点，别一直呆在哪里，有空出去呼吸新鲜空气对身体有好处！
干法刻蚀、湿法刻蚀的区别 呵呵，我以前在半导体做了两年啊！懂一点点吧！以前我在的是蚀刻区！半导体制蚀刻(Etching)(三)蚀刻(Etching)蚀刻的机制，按发生顺序可概分为「。
纯氧是什么 纯氧分子式：O2 性质：纯度≥99.995％。尘埃(φ≥0.5μm)≤3.5粒/L，杂质含量N2≤10 cm3/m3，Ar≤5cm3/m3，H2O≤lcm3/m3，CO2≤0.5cm3/m3。。
四氟化碳瓶可以装氧气吗？谢谢 四氟化碳具有急性毒性，所以四氟化碳瓶不可以装氧气。四氟化碳既可以被视为一种卤代烃、卤代甲烷、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。零下198°C时。四氟化碳造成温室效应的作用二氧化碳的数千倍。氟代烃的低层大气中比较稳定，而在上层大气中可被能量更大的紫外线分解。扩展资料：四氟化碳用途1、用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺，也用做激光气体，用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。2、四氟化碳可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。3、用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。参考资料来源：-四氟化碳
四氟化碳 与硅和二氧化硅的反应 越详细越好 CF4-在电浆下->；2F+CF2SiO2+4F->；SiF4+2OSiO2+2CF2->；SiF4+2COCF4经过电浆轰击产生F原子跟CF2原子团F原子跟CF2原子团分别跟SiO2反应生成挥发性的SiF4F原子跟CF2原子团与Si也能发生反应，但这不是我们想看到的，通过适当调整CF4电浆对晶片表面的离子轰击及所生成的高分子（polymer)层，我们能够做到保护Si而只蚀刻SiO2的高选择比的效果如果CF4中加如适当的O2的话CF4+O->；COF2+2F，可见O原子将会消耗很多碳原子，使得F原子的相对比例提高，实际上，在许多半导体工艺中，就是通过这种方式来控制蚀刻速率的然而实验证明，增加O的含量，CF4对Si的蚀刻速率增加的比对SiO2快，这时我们加入适当的H，通过H+F->；HF来减少F的比例实际上，半导体SI及SIO2蚀刻工艺中，最重要的就是控制C/F的比例
