N MOS管做高端可以这样驱动吗（有图）有的人要自举电容啥，我觉得如图就可以了，不必这么麻烦吧
求MOS管驱动电路？？ 求MOS管驱动电路？MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和。
什么是自举电容？ 1，自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性，当电容两端保持有一定电压时，提高电容负端电压，正端电压仍保持于负端的原始压差，等于正端的电压被负端举起来了。实际就是正反馈电容，用于抬高供电电压。自举电容就是一个自举电路。2，自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。3，原理举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来？就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。常用自举电路（摘自fairchild，使用说明书AN-6076《供高电压栅极驱动器IC 使用的自举电路的。
请问下MOS高边驱动时一定要加自举电容吗？ 主要看Vgs电压，要是高侧MOS的Vgs电压能满足要求就不需要加自举电路，自举电路只是在单电源供电时，高侧Vgs打不到控制要求而做的，当使用隔离电源控制就不需要自举。
用IR2110全桥驱动MOS管，自举电容为1UF+1UF打独石电容，二极管采用快恢复二极管。管子加上15V的电压 需要吸收电路。阻尼这个震荡。主要原因来自主回路上的分布电容、电感。一般资料上都有介绍，可参考。在没解决前慎重加高电压。
什么是自举电容？ 1，自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性，当电容两端保持有一定电压时，提高电容负端电压，正端电压仍保持于负端的原始压差，等于正端的电压被负端举起来了。。
自举升压电路的原理是这样的？ 自举升压电路的原理：举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压弄出来就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。扩展资料：充电过程在充电过程中，开关闭合(三极管导通)，等效电路如图二，开关(三极管)处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感里储存了一些能量。放电过程：当开关断开(三极管截止)时的等效电路。当开关断开(三极管截止)时，由于电感的电流 保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开，。
用TPL250如何驱动buck电路（开关管用mos管），需要加自举电容吗？ 有TLP250，不知道TPL250.<；br>；TLP只是一个驱动器，驱动的高电压来自Vcc输入，。http：//wenku.baidu.com/view/53e8a12d2af90242a895e5e2.html<；br>；<；br>；希望对你有所帮.
