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晶体管共射放大电路的实验数据 晶体管单极放大电路实验中怎样测量RB2阻值?

2020-10-08知识19

单管共射放大电路的实验报告怎么写 最低0.27元开通文库会员,查看完整内容>;原发布者:不花欣实验三单管共射放大电路一、实验目的1、深入理解放大器的工作原理;学习晶体管放大电路静态工作点的测试方法,进一步理解电路元件参数对静态工作点的影响,以及调整静态工作点的方法。2、学习测量输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压幅值的方法。3、观察电路参数对失真的影响。4、学习毫伏表、示波器及信号发生器的使用方法。二、实验设备1、实验箱(台)2、示波器3、毫伏表4、数字万用表5、信号发生器三、预习要求1、熟悉单管放大电路,掌握不失真放大的条件。2、了解负载变化对放大倍数的影响。3、了解饱和失真、截止失真和固有失真的形成及波形;掌握消除失真方法。四、实验内容及步骤1、测量并计算静态工作点按图3-1接线。图3-1将输入端对地短路,调节电位器RP2,使VC=4伏左右,测量VC、VE、VB及Vb1的数值,记入表3-1中。按下式计算IB、IC,并记入表3-1中。表3-12、改变RL,观察对放大倍数的影响负载电阻分别取RL=2KΩ、RL=5.1K和RL=∞,输入f=1KHz的正弦信号,幅度以保证输出波形不失真为准。测量Vi和V0,计算电压放大倍数:Av=Vo/V1,填入表3-2中。表3-23、改变RC,观察对放大倍数的影响取RL=5.1K,按下表改变RC。

晶体管共射放大电路的实验数据 晶体管单极放大电路实验中怎样测量RB2阻值?

晶体管单极放大电路实验中怎样测量RB2阻值? 1、在做实验的时候,一般分成静态和动态两种状态测量。2、先是测静态工作点,此时主要使百用数字万用表测量各管脚的电位(直流);3、然后测交流参数的时候,一般使用示波器测量交流信号的大小(这里注意,示波器既度也可以测量交流值,也可以测量交直流混合值,只是后者的话,需要使用者有一定的示波器使用经验)。扩展资知料由于晶体管响应速度快,准确性高,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部道分。电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中版向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。参考权资料来源:-晶体管

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单管交流放大电路实验数据 我刚做完的实验!实验设定Rc=2kΩ;Uce=6.004V,故Ic=3.002mA,此时Ube=0.645V;放大倍数:当输入信号Us=20mV时,Uo=4.20V,Uo’=2.10V,Ui=23.5mV,①负载放大倍数:Au=Uo/Ui=178.7;②空载放大倍数:Au’=Uo’/Ui=89.4。

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晶体管共射极单管放大器实验报告怎么写 晶体管共射极单管放大器 一、实验目的 1、学会放大器静态工作点的调试方法,分析静态工作点对放大器性能的影响。2、掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不。

单管放大电路分析实验能得到怎样的结论

晶体管单管共射放大电路 调试工程中出现的问题

2.总结RC、RL及静态工作点Q对放大电路电压放大倍数、输出电阻、输入电阻的影响 Rc越大,电压放大倍数越大、输入电阻不受影响、输出电阻越大.Ri越大,电压放大倍数越小、输入电阻越小、输出电阻不受影响.静态工作点中电流越大,电压放大倍数越大、输入电阻越小、输出电阻不受影响.但静态工作点太大或太小容易导致三极管进入饱和或截止.

晶体管共射极单管放大器实验的结论是什么 基极电流和集电极电流之和等于发射极电流;基极电流和发射极电流有一定的正比关系,也就是二者的电流大小的比值在一定范围内不变,也就是基极小的电流变化,在发射极就能有大的电流变化。基极开路时,Iceo非常小,这个值越小越好。要使晶体管能够处于放大状态,必须是发射结正偏,集电结反偏。由于其响应速度快,准确性高,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。扩展资料:改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,以控制半导体导电层(沟道)中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流,其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小,制造工艺简单、温度特性好等特点,广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属0-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管(MESFET)是两种最重要的场效应晶体管,分别为MOS大。

#共发射极放大电路#晶体管#电流#静态工作点#电脑

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