吸收比的测量，介质损失角正切tan(右上角有一个类似S的符号)测量属于_____实验. A
介质损耗试验的目的？ 介质损耗试验的目2113的是通过测量介质损耗5261因数来判断设备绝缘性4102能。一般1653使用西林电桥、电流比较型电桥、M型介质试验器等仪器进行试验。测量介质损耗因数在预防性试验中是不可缺少的项目。因为电气设备介质损耗因数太大，会使设备绝缘在交流电压作用下，许多能量以热的形式损耗，产生的热量将升高电气设备绝缘的温度，使绝缘老化，甚至造成绝缘热击穿。绝缘能力的下降直接反映为介质损耗因数的增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。所以，在出厂试验时要进行介质损耗的试验，运行中的电气设备亦要进行此种试验。测量介质损耗的同时，也能得到试品的电容量。电容量的明显变化，反映了多个电容中的一个或几个发生短路、断路。扩展资料在交流电压作用下，电介质要消耗部分电能，这部分电能将转变为热能产生损耗。这种能量电介质的损耗。当电介质上施加交流电压时，电介质中的电压和电流间存在相角差Ψ，Ψ的余角δ称为介质损耗角，δ的正切tgδ称为介质损耗角正切。tgδ值是用来衡量电介质损耗的参数。仪器测量线路包括一标准回路（Cn）和一被试回路（Cx）。标准回路由内置高稳定度标准电容器与测量线路组成。
测量介质损耗角正切值有何意义？
简述测量介质损耗角正切值的意义是什么？ 测量介质损耗角正切值是绝缘试验的主要项目之一。介质损耗角正切值（taM)表示 电介质在交流电压下的有功损耗和无功损耗之比，值越大，介质损耗越大，它反映了电介质 在交流。
什么是介质损失正切值？ 测量介质损2113失角正切值（tanδ）是判断设备绝缘5261状况灵敏的有效方法4102，对受潮、老化等分布性1653缺陷尤其有效。在一定的电压和频率下，它能反映介质内单位、体积、能量损耗的大小。通过逐年积累资料，能够撑握绝缘发展的趋势。其局限性在于：对大容量的设备，如：大、中型变压器、发电机、电力电缆和电容器等，测量tanδ并不能有效地检测出集中性的局部缺陷，在分析时应注意。测量tanδ值通常采用西林电桥，如QS！型和QS3型高压交流平衡电桥。以QS1型为例，接线方式有以下几种。（1）正接法。正接时，桥体处于低压，操作安全方便，不受被试品对地寄生电容的影响，测量准确；但这种方法要求被试品两极均能对地绝缘。（2）反接法。反接法的高、低压端与正接线相反，故称反接线。适用于被试品一端接地的情况，反接线时桥体处于高电位，被试品高压极连同引线的对地寄生电容与被试品并联引起测量误差。（3）对角线接法。此种接线现场很少使用，只有当被试品一极接地，而电桥又没有足够绝缘强度进行反接线测量时，可才用对角线接线。
介质损耗因数的介质损耗正切值tgδ 又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下：如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。绝缘能力的下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。测量介损的同时，也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值，意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因数的定义如下：有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF：cosΦ)，而不是介质损耗因数(DF：tgδ)。一般cosΦδ，在损耗很小时这两个数值非常接近。5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。通过比对电流相位差测量tgδ，通过出比电流幅值测量试品电容量。因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压。
中测量介质损耗角正切值有何意义？ 测量介质损耗角正切值是绝缘试验的主要项目之一。它在发现绝缘受潮、老化等分布性缺陷方面比较灵敏有效。在交流电压的作用下，通过绝缘介质的电流包括有功分量和无功分量，。
绝缘特性试验的介质损耗角正切值(tg δ)的测量 绝缘材料或结构在交流电压作用下有能量损耗。这种损耗称为介质损耗。它包括电导损耗、极化损耗和气隙中放电引起的损耗。在交流电压作用下，流过介质的电流由两部分组成：电容电流分量；有功电流分量(图2)。介质损耗角正切值通常>；>；，δ小，tgδ也小。介质中的功率损耗P为利用此式可求得绝缘结构的功率损耗。式中 U与绝缘厚度有关系，与绝缘面积有关系，所以U标志绝缘的体积；tgδ代表单位体积中的损耗，它反映材料的性质。当绝缘受潮，绝缘油或浸渍液受潮、污秽，材料劣化变质和绝缘结构中的气隙有放电现象时，tgδ就增大。有些损耗与频率有依存关系，如极化；有些损耗与电压有依存关系，如气隙中的放电。如改变测量tgδ时的电压幅值，可得到tgδ与外施电压U的关系(图3)。图中曲线说明绝缘结构中存在气隙放电。放电开始时的外施电压为Uc，从tgδ增加的陡度，可反映出老化的程度。虽然从理论上讲，tgδ能显示气隙放电，但如气隙放电损耗只占总损耗的极小份量，由代表单位体积损耗的tgδ来显示气隙放电是不灵敏的。测量介质损失角正切值tgδ的常用仪器是西林电桥（见经典交流电桥）。
